品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFBC40ASTRLPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:標(biāo)準(zhǔn) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 功率:標(biāo)準(zhǔn) | 批號(hào):最新批號(hào) | 封裝:標(biāo)準(zhǔn)
10-499 個(gè)
¥1.00
500-999 個(gè)
¥0.70
≥1000 個(gè)
¥0.68
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF7309ITRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 功率:標(biāo)準(zhǔn) | 批號(hào):標(biāo)準(zhǔn) | 封裝:標(biāo)準(zhǔn)
10-99 個(gè)
¥2.50
100-499 個(gè)
¥2.30
≥500 個(gè)
¥2.05
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFBC40A FBC40A FBC40LC IRFBC40 IRFBC42 IRG4BC40S | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
1-49 個(gè)
¥1.50
50-4999 個(gè)
¥1.20
≥5000 個(gè)
¥0.58
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):30EPH06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功耗:30A600V | 產(chǎn)品類型:快恢復(fù)二極管 | 針腳數(shù):3
≥10 個(gè)
¥1.70
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFU9024N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個(gè)
¥1.45
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):GIB3506 | 應(yīng)用范圍:電機(jī) | 整流元件:全橋 | 功率特性:大功率 | 頻率特性:高頻 | 交流輸入電壓:600(V) | 直流輸出電壓:1000(V) | 直流輸出電流:35(A) | 正向峰值電壓:600(V) | 反向重復(fù)峰值電壓:1000(V) | 反向重復(fù)峰值電流:11(mA) | 絕緣電壓:1000(V) | 工作結(jié)溫:11(℃) | 效率:11(%) | 橋堆:35A600V | 加工定制:否
100-999 千克
¥3.00
≥1000 千克
¥2.80
100-999 個(gè)
¥2.50
≥1000 個(gè)
¥2.00
產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):SL23-E3/52T | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格
≥10000000 個(gè)
¥0.30
產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):ES1D-E3/61T | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格
≥10000000 個(gè)
¥0.10
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFR460 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:DPAK | 批號(hào):11+ | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 屬性:屬性值
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):PZTA92T1G | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥50 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):PZTA92T1G | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥50 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFR120N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-252
≥5 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:10 | 截止頻率fT:20
≥10 個(gè)
¥2.00
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IR4435TRPBF | 用途:MOS-HBM/半橋組件
≥100 個(gè)
¥0.44
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):BU2520DX | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1 個(gè)
¥3.50
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IR2155 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:0
≥1000 個(gè)
¥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRG4PSH71U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.12
5000-9999 個(gè)
¥0.11
≥10000 個(gè)
¥0.10