產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:KSC1008-Y | 封裝形式:TO--92 | 結構:平面型 | 類別:直插 | 發(fā)貨期限:1 | 應用范圍:放大

應用范圍:放大 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:貼片三極管 LM317 TO-252 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:SS8550 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SB772 | 材料:硅(SI)，硅(SI) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 截止頻率fT:1

應用范圍:功率 | 品牌:三聯(lián)盛 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(Si)

應用范圍:放大 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:MMBT5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:ROHM/羅姆 | 型號:2SB772 772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-89

應用范圍:功率 | 品牌:魯晶（LJ） | 型號:BC817-40LT1 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23 | 集電極最大耗散功率PCM:0.31 | 集電極最大允許電流ICM:-0.5 | 截止頻率fT:100

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:MJD32C | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:50 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:10 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:100

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:D965 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0。25 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結構:平面型 | 封裝材料:玻璃封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:40

應用范圍:功率 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:BFS25A | 材料:鍺(GE) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.032W | 集電極最大允許電流ICM:0.065A | 截止頻率fT:5GHz | 產(chǎn)品類型:其他

應用范圍:功率 | 品牌:KSC | 型號:KSE340 KSE350 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:-1

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:2sb1132 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:06 | 擊穿電壓VCBO:40 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:150 | 結構:面接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:452 | 集電極最大允許電流ICM:5435 | 截止頻率fT:5235

應用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號:2SD596/DV3 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 極性:NPN型 | 是否提供加工定制:否 | 封裝材料:塑料封裝

應用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:C3074，2SC3074 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-252/251 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:60 | 集電極最大允許電流ICM:5

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9012 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3 | 功率:W | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:S9013 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23-3 | 功率:W | 批號:以實物為準 | 封裝:SOT-23

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SC3356 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT23