• KTA2012E-RTK/開關(guān)/三極管/SOT-523/KEC

      應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:KEC | 型號:KTA2012E-RTK | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.1 | 集電極最大允許電流ICM:-0.5 | 截止頻率fT:260

    • ≥3000 PCS

      ¥0.25

    • 詢 價
    • PHD5N20E PHD6N10E PHD10N10E PHD12N10E

      品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PHD12N10E | 溝道類型:其他 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應(yīng)用范圍:功率

    • ≥10100 PCS

      ¥1.00

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    • 長電BC808貼片三極管印記5E、5F、5G

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:BC808 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:200 | 集電極最大允許電流ICM:500 | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:25

    • ≥3000 PCS

      ¥0.04

    • 詢 價
    • 3DD5E-T 3DD5F-T 3DD5G-T大功率三極管

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:其他 | 型號:3DD5C-T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 極性:NPN型 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

    • ≥10 個

      ¥1.00

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    • ST晶體管(BJT)三極管 BUL1203E

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUL1203E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:36 | 擊穿電壓VCBO:550 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:ST | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

    • 詢 價
    • IC集成 ZXCT1010E5TA

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號:ZXCT1010E5TA | 類型:其他IC | 批號:11+ | 是否提供加工定制:否 | 封裝:SOT153

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    • KRC828E

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號:KRC828E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:5 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:TES6 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

    • ≥1000 PCS

      ¥0.10

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    • KRX101E

      類型:其他IC | 品牌:KEC | 型號:KRX101E | 集電極最大耗散功率PCM:41 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:302 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:5 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:TESV | 材料:硅(Si) | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23 | 應(yīng)用范圍:放大

    • ≥1000 PCS

      ¥0.10

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    • 電子元器件 ZXCT1010E5TA

      應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號:ZXCT1010E5TA | 功率:0 | 類型:其他IC | 批號:09+ | 針腳數(shù):1 | 封裝:SOT-153

    • ≥21 平方米

      ¥2.00

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