應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SC1815 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 集電極最大允許電流ICM:8 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:2
≥1 K
¥30.00
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):U1ZB12,U1ZB30 | 功率:標(biāo)準(zhǔn) | 封裝:SMA | 批號(hào):全新原裝環(huán)保
≥1 個(gè)
¥0.01
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):7T85RB | 材料:硅(SI)
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):E3062E | 材料:銅 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:任君選擇 | 集電極最大允許電流ICM:任君選擇 | 截止頻率fT:任君選擇
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):7T69RB | 材料:硅(Si) | 封裝形式:功率型 | 極性:PNP型 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 加工定制:是
應(yīng)用范圍:微波 | 品牌:Toshiba | 型號(hào):E3062E | 材料:鍺(Ge) | 極性:PNP型 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 加工定制:是
應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):8T25RA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 擊穿電壓VCBO:7500 | 集電極最大允許電流ICM:100 | 截止頻率fT:110
≥1 PCS
¥25000.00