詳細(xì)信息
增特科技/啟翔代理NANYA/南亞2Gb/DDR3/SDRAM儲(chǔ)存芯片NT5CB128M16BP-CG
封裝：BGA-96Pin
最少包裝1900Pcs/Reel
庫(kù)存數(shù)量：9500Pcs深圳
需求的客戶請(qǐng)聯(lián)系：0755-83859259、13603087729 唐先生 需要樣品和技術(shù)資料的客戶請(qǐng)加QQ:601313094 郵件：601313094@qq.com
產(chǎn)品描述：
2GB的雙數(shù)據(jù)速率-3（DDR3）的DRAM是包含一個(gè)高速的CMOS雙數(shù)據(jù)Rate32 SDRAM，2,147,483,648位。它在內(nèi)部配置為一個(gè)八進(jìn)制銀行的DRAM。2GB的芯片被組織成的64Mbit×4的I / O×8行，32兆×8的I / O×8銀行或?yàn)?6Mbit×16的I / O×8銀行設(shè)備。這些同步設(shè)備實(shí)現(xiàn)高達(dá)1600 MB/秒/針一般應(yīng)用的高速雙數(shù)據(jù)速率傳輸速率。
該芯片的設(shè)計(jì)符合所有主要的DDR3 DRAM的主要功能和所有的控制和地址輸入
具有對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入鎖存在差分時(shí)鐘交叉點(diǎn)（CK上升和????下降）。所有I / O都在源的單端DQS或差分DQS對(duì)同步方式。這些器件采用單1.5V±0.075V和1.35V-0.0675V/+0.1 V電源供電，可在BGA包。
產(chǎn)品特性：
??1.5V±0.075V/1.35V-0.0675V/+0.1 V（JEDEC的標(biāo)準(zhǔn)電源）
??8內(nèi)部存儲(chǔ)器組（BA0-BA2）
??差分時(shí)鐘輸入（CK，????）
??可編程??????延遲：6，7，8，9，10，11
??可編程添加劑延時(shí)：0，CL-1，CL-2
??可編程序/交織突發(fā)類型
??可編程突發(fā)長(zhǎng)度：4,8
??8位預(yù)取架構(gòu)
??輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制
??寫代練
??OCD校準(zhǔn)
??動(dòng)態(tài)ODT（Rtt_Nom＆Rtt_WR）
??自動(dòng)自刷新
??自刷新溫度
??符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和無(wú)鹵素
??套餐：
78球BGA為X4，X8組件
96球BGA為x16組件