品牌:ST/意法 | 型號:BUZ71 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 封裝形式:TO-220 | 應(yīng)用范圍:達(dá)林頓

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP142 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247-3 | 極性:PNP型 | 結(jié)構(gòu):平面型 | 封裝材料:金屬封裝

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:國產(chǎn) | 型號:3CG93 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:12 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:B1 | 是否提供加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:25

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP147t | 材料:硅(SI) | 封裝形式:TO-220-3 | 屬性:-

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP142T | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220-3 | 屬性:-

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:長電CJ | 型號:2N5551 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 擊穿電壓VCBO:100 | 集電極最大允許電流ICM:100 | 截止頻率fT:100

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:正品 | 型號:TIP122 | 材料:-- | 封裝形式:標(biāo)準(zhǔn) | 類型:三極管 | 批號:2014+ | 封裝:TO-220

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:長電 | 型號:C1815 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

產(chǎn)品類型:其他 | 品牌:ON/安森美 | 型號:on三極管 MC系列 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:5/12 | 應(yīng)用范圍:達(dá)林頓

類型:通信IC | 品牌:A | 型號:TIP32C | 功率:詳詢 | 封裝:TO-220 | 批號:2013+

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:TIP142 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-247-3

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:L7905CV | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:1.5 | 材料:硅(Si) | 封裝材料:塑料封裝 | 擊穿電壓VCEO:-35 | 應(yīng)用范圍:達(dá)林頓

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:B834-Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:B834-Y | 擊穿電壓VCBO:B834-Y | 集電極最大允許電流ICM:B834-Y | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:B834-Y | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:否

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:華奧DHA | 型號:D1071 TO-220 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:40 | 擊穿電壓VCBO:350 | 集電極最大允許電流ICM:6

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:ST/意法 | 型號:BU806 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型

應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SA1145 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92L