應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:2 | 型號(hào):2 | 材料:2

品牌:ME | 型號(hào):ME2100D30M5G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):D4NA40 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO251/252

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:SHINDENGEN/新電元 | 型號(hào):D5LC20U | 溝道類型:. | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:. | 供應(yīng)商類型:自主生產(chǎn)廠商

應(yīng)用范圍:開關(guān) | 品牌:長電 | 型號(hào):MMBD4148SE MMBD4148CC | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 擊穿電壓VCBO:0 | 集電極最大允許電流ICM:0

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:ST/意法 | 型號(hào):BUL38D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:80 | 擊穿電壓VCBO:450 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:ST | 結(jié)構(gòu):外延型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):FOR5D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:* | 結(jié)構(gòu):擴(kuò)散型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KMB4D5DN60QA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:FLP-8 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號(hào):PRTR5V0U4D | 類型:其他IC | 批號(hào):2011+ | 封裝:SOT-163

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):MMBD4148CC=D5 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:長電原裝正品 | 擊穿電壓VCBO:長電原裝正品 | 集電極最大允許電流ICM:長電原裝正品 | 截止頻率fT:長電原裝正品 | 結(jié)構(gòu):平面型

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國產(chǎn) | 型號(hào):D1146 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.625 | 擊穿電壓VCBO:40 | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:20 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是