詳細信息
095 具有金屬電容器的非易失性存儲單元及電子系統(tǒng)
[摘要] 本技術(shù)涉及一種置于半導(dǎo)體芯片中的存儲單元，包括非易失性存儲晶體管、控制柵和浮柵。所述控制柵通過金屬電容器與非易失性存儲晶體管上的浮柵電容性連接。所述金屬電容器可形成在所述半導(dǎo)體芯片的一個或多個金屬層內(nèi)。一個實施例中，所述金屬電容器是多齒的梳狀。一個實施例中，所述非易失性存儲晶體管是NMOS非易失性存儲晶體管。本技術(shù)還涉及一種電子系統(tǒng)。
048 制造動態(tài)隨機存取存儲器單元電容器的方法
[摘要] 這里提供了一種制造ＤＲＡＭ單元電容器的改進方法，通過將接觸孔形成步驟與存儲節(jié)點形成步驟結(jié)合，可以提供到電容器的存儲節(jié)點的自對接觸孔，并可以增大電容器表面積。這種結(jié)合技術(shù)減少了光刻工藝，并因而降低了工藝成本。
067 制造動態(tài)隨機存取存儲器單元電容器的方法
[摘要] 本技術(shù)提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的極柱型電容器的方法。在抗反射涂層上淀積存儲節(jié)點的導(dǎo)電層。在腐蝕導(dǎo)電層和后續(xù)的過腐蝕存儲節(jié)點圖形的步驟中，抗反射涂層使得在存儲節(jié)點的側(cè)壁上更易形成聚合物集結(jié)。所得到的聚合物集結(jié)作為腐蝕阻擋層。
081 制造光滑電極和具有改進存儲保持的薄膜鐵電電容器的DC濺射工藝
[摘要] 一種用在電子存儲器(600，700，800)中的鐵電薄膜電容器具有光滑的電極(412，422)，隨著鐵電電容器使用年限的增加，能有相對較強的極化強度、較小的疲勞以及較少的印記。通過DC反應(yīng)濺射制成光滑的電極表面。
162 鐵電電容器、具有該電容器的存儲器件及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供一種具有三維結(jié)構(gòu)的鐵電電容器、具有該鐵電電容器的非易失性存儲器件及其制造方法。該鐵電電容器包括：溝槽型下電極；絕緣中間層，形成在該下電極周圍，例如為SiO2
009 強電介質(zhì)電容器及其制造方法以及半導(dǎo)體存儲裝置
051 具有改進的鐵電電容特性的鐵電存儲器件
112 強電介質(zhì)材料、其膜、電容器及它們的制法、強電介質(zhì)存儲器
115 抑制存儲器電容結(jié)構(gòu)印記的系統(tǒng)和方法
006 鐵電電容及其制造方法和鐵電存儲單元制造方法
011 串接電容以增加崩潰抵抗力的閃速存儲器充電電路
044 簡化三維溝道電容器動態(tài)隨機存取存儲器的方法
126 強電介質(zhì)層及其制法、強電介質(zhì)電容器及強電介質(zhì)存儲器
060 堆疊形動態(tài)隨機存取存儲器的電容器的制造方法
161 強電介質(zhì)膜、強電介質(zhì)電容器、強電介質(zhì)存儲器、壓電元件、半導(dǎo)體元件
036 具有鐵電存儲電容器的半導(dǎo)體存儲器件
146 鐵電膜、鐵電膜的制造方法、鐵電電容器、以及鐵電存儲器
167 半導(dǎo)體存儲器之電容器結(jié)構(gòu)的制備方法
056 電容存儲型場助熱電子發(fā)射平板顯示器及其驅(qū)動方法
082 具有鐵電電容器的鐵電存儲器件
047 動態(tài)隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
151 制作溝渠電容動態(tài)隨機存取存儲器元件的方法
137 電容器、半導(dǎo)體存儲器件及制造電容器的方法
130 使用無定形碳制造半導(dǎo)體存儲器件的電容器的方法
178 應(yīng)用于圖像傳感器中的電容存儲方式的列讀出電路
096 一種鐵電存儲器用鐵電薄膜電容及其制備方法
073 半導(dǎo)體存儲器元件的電容器及其制造方法
169 鐵電體電容器、鐵電體電容器的制造方法、鐵電體存儲器
027 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
111 強電介質(zhì)膜和其制造方法、強電介質(zhì)電容器、強電介質(zhì)存儲器
065 用于存儲單元的圓柱形存儲電容器及其制造方法
114 半導(dǎo)體設(shè)備的電容器和使用同樣電容器的存儲器設(shè)備
125 強電介質(zhì)電容器及其制造方法、強電介質(zhì)存儲器及壓電元件
133 強電介質(zhì)膜、強電介質(zhì)電容器、強電介質(zhì)存儲器、壓電元件、半導(dǎo)體元件、強電介質(zhì)膜的制造方法、和強電介質(zhì)電容器的制造方法
107 用于固態(tài)輻射成像器的存儲電容器陣列
187 一種低壓可擦寫的納米晶存儲電容結(jié)構(gòu)及其制備方法
174 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器接點結(jié)構(gòu)及工藝
155 電容器及電容器、存儲裝置、激勵器和噴射頭的制造方法
141 電容絕緣膜及其制造方法、電容元件及其制造方法和半導(dǎo)體存儲裝置及其制造方法
160 包括浮體晶體管無電容器存儲單元的存儲器件及相關(guān)方法
013 模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器信號存儲電容的擾動
172 存儲裝置的電容器及其形成方法
109 具有溝槽電容器的動態(tài)隨機存取存儲器及其制造方法
149 用于半導(dǎo)體存儲單元的有隔離環(huán)的溝槽電容器的制造方法
028 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
127 強電介質(zhì)膜、電容器及它們的制造方法及強電介質(zhì)存儲器
190 存儲電容
089 半導(dǎo)體存儲器電路的電容器的制造方法
050 具有自對準的非集成電容器排布的存儲器裝置
148 實現(xiàn)基于電容探針的數(shù)據(jù)存儲讀出的方法及裝置
042 制造半導(dǎo)體存儲器件的電容器的方法
076 制造溝槽動態(tài)隨機存取存儲器中電容器掩埋片的工藝
186 一次性可編程存儲器、存儲電容器及其制造方法
064 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器制造方法
110 單一晶體管型隨機存取存儲器的制造方法及其電容器結(jié)構(gòu)
072 半導(dǎo)體存儲元件的電容器及其制造方法
175 具有電池電容器能量存儲系統(tǒng)的混合燃料電池系統(tǒng)
154 溝渠電容及存儲單元的制作方法
117 無電容單一晶體管動態(tài)隨機存取存儲器單元及制造方法
140 液晶顯示器及其存儲電容
094 存儲器的電容器下電極的制造方法
007 位線電容能夠最大的鐵電存儲器
131 存儲設(shè)備的電容器及其制造方法
057 疊層電容器存儲單元及其制造方法
165 包括無電容器的存儲單元的半導(dǎo)體存儲器件
144 用于半導(dǎo)體器件的存儲電容器及形成該存儲電容器的方法
176 存儲電容器的制造方法
046 動態(tài)隨機存取存儲器電容器及其下電極的制造方法
074 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器條
191 硅基液晶顯示芯片的像素單元存儲電容器
142 存儲電容和采用該存儲電容的液晶顯示器
043 通過采用光滑底電極結(jié)構(gòu)具有改進的存儲保持的薄膜鐵電電容器
173 存儲電容器的制造方法
192 存儲電容和采用該存儲電容的液晶顯示器
147 具有高K電介質(zhì)存儲電容器的DRAM及其制造方法
077 半導(dǎo)體存儲器件的電容器及其制造方法
025 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
181 電容器及隨機存儲器單元的制作方法
101 電容器、隨機存儲器單元及其形成方法
030 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
聯(lián)
139 形成鐵電膜的方法及使用其形成電容器和存儲器件的方法
系
059 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器的制造方法
電
179 用于電存儲設(shè)備的液體電解質(zhì)和雙電荷層電容器
話
103 一種高密度電荷存儲的鐵電電容器及其制造方法
0
012 用于在動態(tài)隨機存取存儲器的存儲單元中形成電容器的方法
2
153 電雙層電容器、包括電雙層電容器的電能存儲裝置以及電雙層電容器的制造方法
8
189 平面內(nèi)切換型液晶顯示器及其采用的存儲電容
|
019 固／氣雙層電容器及電存儲器件
8
134 a01">
1
079 具有電容器保護層的半導(dǎo)體存儲器件及其制備方法
5
092 用于讀出具有鐵電電容器的存儲單元的電路裝置
0
049 帶多層電容器的半導(dǎo)體存儲器裝置
4
182 包括電容性能量存儲裝置的電梯驅(qū)動組件
4
071 半導(dǎo)體存儲元件的電容器及其制造方法
1
002 一種制作鐵電性存取存儲器的電容器的方法
6
108 電容元件及半導(dǎo)體存儲裝置
014 動態(tài)隨機存取存儲器的電容結(jié)構(gòu)及其制造方法
1
194 鐵電存儲器用鐵電薄膜電容
8
045 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器的制造方法
9
163 薄膜電容器及其形成方法、以及計算機可讀取的存儲介質(zhì)
8
058 形成存儲電容器的方法
2
029 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
1
088 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
9
001 具有強電介質(zhì)電容器的存儲單元陣列及其制造方法以及強電介質(zhì)存儲裝置
0
159 利用管腳上電容器的高速存儲模塊
2
084 具有受控存儲電容的液晶顯示元件
3
004 強電介質(zhì)存儲裝置及對由強電介質(zhì)電容器構(gòu)成的存儲單元的操作方法
0
166 像素及其形成方法、存儲電容、顯示面板及光電裝置
123 存儲器中延伸式電容制法及裝置
119 平面內(nèi)切換型液晶顯示裝置及其采用的存儲電容
098 具有動態(tài)電壓調(diào)節(jié)超級電容的存儲
143 溝槽存儲電容器及其制造方法
054 具有疊置電容器和埋置字線的動態(tài)隨機存取存儲器
015 引入堆疊箱式電容單元的數(shù)兆位動態(tài)存儲器的劈開－多晶硅CMOS工藝
171 動態(tài)隨機存取存儲器及溝渠式電容器的制造方法
122 抑制附加在數(shù)據(jù)線等上的寄生電容的薄膜磁性體存儲器
010 存儲器的電容器下電極板的制造方法
113 電容器及其制造方法和包括電容器的存儲器件
008 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器的制造方法
062 動態(tài)隨機存取存儲器電容器的制造方法
121 存儲器字線結(jié)構(gòu)與電容器重疊偏移的元件及方法
124 離子液體、用于電存儲設(shè)備的電解質(zhì)鹽、用于電存儲設(shè)備的液體電解質(zhì)、雙電荷層電容器和二次電池
066 動態(tài)隨機存取存儲器的電容的制造方法
078 堆疊電容器存儲單元及其制造方法
100 形成堆疊電容器動態(tài)隨機存取存儲器單元的方法
026 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
021 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
170 提高存儲單元電容器面積的方法
129 具有垂直型晶體管與溝槽電容器的存儲器裝置的制造方法
032 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
087 具有接觸電容器電極的插塞的半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
040 高密度動態(tài)隨機存取存儲器的電容器結(jié)構(gòu)的制造方法
085 含有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
016 高密度動態(tài)隨機存取存儲器(RAM)的槽式電容器的制造方法
063 堆疊電容器底部存儲節(jié)點的制造方法
118 半導(dǎo)體器件的非易失性電容器、半導(dǎo)體存儲器及工作方法
035 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
104 隨著存儲電容的電容值改變的更新時脈產(chǎn)生裝置以及方法
053 動態(tài)隨機存取存儲器單元電容器及其制造方法
093 動態(tài)隨機存儲器電容器的制造方法
168 溝槽電容動態(tài)隨機存取存儲器元件及其制作方法
116 存儲電容
138 強電介質(zhì)電容器及其制造方法和強電介質(zhì)存儲裝置
106 鐵電隨機存取存儲器電容器及其制造方法
097 電容器電極的制造方法和制造系統(tǒng)以及存儲介質(zhì)
031 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
020 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
193 動態(tài)隨機存取存儲器的電容器接點結(jié)構(gòu)
018 有疊層式電容器單元的半導(dǎo)體存儲器件及制法
022 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件
041 形成隨機存取存儲器單元陣列的埋藏式電容陣列的方法
003 具有存儲電容和功率調(diào)節(jié)的開關(guān)電源
099 存儲裝置的超級電容的壽命監(jiān)視
164 具有陶瓷存儲電容器和能量調(diào)節(jié)電路的外部除纖顫器
070 半導(dǎo)體存儲元件的電容器的形成方法
136 鐵電存儲器和鐵電電容器以及其制造方法
152 材料層與電容器和半導(dǎo)體存儲器及其制造方法
145 在半導(dǎo)體裝置中形成電容器之存儲節(jié)點的方法
017 ＣＭＯＳ晶體管和單電容動態(tài)隨機存取存儲單元及其制造方法
184 電容器、隨機存儲器單元的形成方法
069 半導(dǎo)體存儲元件的電容器及其制造方法
086 具有接觸電容器電極的插塞的半導(dǎo)體存儲器及其制造方法
055 動態(tài)隨機存取存儲器電容器存儲電極的制造方法
157 鐵電存儲器用鐵電薄膜電容及其制備方法
102 具有漸縮的圓柱形存儲節(jié)點的電容器及其制造方法
052 高可靠性的槽式電容器型存儲器單元
158 利用線上電容器的高速存儲模塊
180 具有SOI結(jié)構(gòu)的晶體管及電容器且非易失地存儲數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體裝置
183 金屬-絕緣-金屬型電容器、存儲器單元及其形成方法
037 在基底上制作具有電荷存儲電容的存儲元件的方法
038 動態(tài)隨機存取存儲器單元電容器及其制造方法
005 電容元件、半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
188 在一個單元中具有多個并聯(lián)的溝槽電容器的多端口存儲器
150 具有增加的節(jié)點電容的半導(dǎo)體存儲器件
080 具有雙晶體管/雙電容型存儲單元的集成存儲器
034 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
061 具有迭式電容器的動態(tài)隨機存取存儲器及其制作方法
083 用于制作具鉭酸鍶－鉍基介質(zhì)的存儲電容器的方法
156 耦合電容器及使用其的半導(dǎo)體存儲器件
132 具有深溝槽電容器的多柵極動態(tài)隨機存取存儲器及其制法
128 用于LCD板和OELD板的存儲電容器結(jié)構(gòu)
033 具有電容器的半導(dǎo)體存儲器件的制造方法
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075 鐵電薄膜的制造方法、鐵電電容器、鐵電存儲器及其制造方法
105 使用掃描電極線形成存儲電容器的場序制液晶顯示板
120 半導(dǎo)體器件的電容器、存儲器件及其制造方法
以上192項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)，售價260元，光盤編號：A5000-35237。
免費貨到付款。訂購電話：028-81504416 18982190230 15328023369 QQ:89728219
備注：化工、冶金、材料、醫(yī)藥類的技術(shù)包括配方配比，制造工藝，質(zhì)量標準和工藝流程等，機械、設(shè)備、裝置類的資料包括設(shè)計方案，設(shè)計原理，附帶有設(shè)計的結(jié)構(gòu)原理圖紙和圖解說明，所有資料均包括技術(shù)發(fā)明人的姓名、聯(lián)系地址等信息，是企業(yè)和個人了解市場，開發(fā)技術(shù)、生產(chǎn)產(chǎn)品不可多得的參考資料。
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