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024 增加金屬-絕緣體-金屬電容器的單位面積電容密度的方法
[摘要] 本技術(shù)揭示一種堆疊式金屬-絕緣體-金屬電容器的制造方法，包含步驟：a)依序沉積一底部金屬層、一電容介電層于該底部金屬層上、一中間金屬層于介電層上；b)利用微影蝕刻法定義中間金屬層與電容介電層；c)以微影蝕刻法定義底部金屬層；d)沉積一金屬層間介電材質(zhì)層于該中間金屬層與該底部金屬層上，并平坦化該金屬間介電材質(zhì)層；e)在該金屬間介電材質(zhì)層中，以圖案蝕刻進行多個介層窗的蝕刻，以相通至底部金屬層與中間金屬層；f)沉積一金屬鎢，以在介層窗內(nèi)形成金屬內(nèi)連線，連接該底部金屬層及該中間金屬層并隨后進行化學機械研磨；g)重復步驟a)至f)；及h)沉積一頂部金屬層，圖案蝕刻該頂部金屬層。
012 具有金屬電容器的非易失性存儲單元及電子系統(tǒng)
[摘要] 本技術(shù)涉及一種置于半導體芯片中的存儲單元，包括非易失性存儲晶體管、控制柵和浮柵。所述控制柵通過金屬電容器與非易失性存儲晶體管上的浮柵電容性連接。所述金屬電容器可形成在所述半導體芯片的一個或多個金屬層內(nèi)。一個實施例中，所述金屬電容器是多齒的梳狀。一個實施例中，所述非易失性存儲晶體管是NMOS非易失性存儲晶體管。本技術(shù)還涉及一種電子系統(tǒng)。
013 金屬-絕緣體-金屬電容器及制造方法
[摘要] 一種用于MIM電容器的方法和結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包括：電子器件，其包括：在半導體襯底上形成的層間介電層；在層間介電層中形成的銅底部電極，所述底部電極的上表面與所述層間介電層的上表面共面；直接與所述底部電極的上表面接觸的導電擴散阻擋層；直接與導電擴散阻擋層的上表面接觸的MIM電介質(zhì)；以及直接與MIM電介質(zhì)的上表面接觸的頂部電極。所述導電擴散阻擋層可以凹進所述銅底部電極中，或者可以提供附加的凹陷導電擴散阻擋層。還提供了相容電阻器和對齊標志結(jié)構(gòu)。
017 金屬-絕緣層-金屬電容器及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)的一個實施例提供了一種金屬-絕緣層-金屬電容器及其制造方法，該方法包括：提供半導體襯底，其表面形成有第一絕緣層；于第一絕緣層上形成堆疊絕緣結(jié)構(gòu)，其由多個第二絕緣層和多個第三絕緣層交錯形成；形成開口于堆疊絕緣結(jié)構(gòu)中以暴露出第一絕緣層的一部分；執(zhí)行濕蝕刻工藝以大量去除這些第二絕緣層，及小量去除這些第三絕緣層，由此在這些第二絕緣層中沿著開口側(cè)壁形成多個橫向凹槽；形成底部電極層，其沿著開口及橫向凹槽的側(cè)壁和底部延伸；形成電容絕緣層于底部電極層上；及形成頂部電極層于電容絕緣層上。本技術(shù)的優(yōu)點包括可改善材料層的品質(zhì)以及減少工藝時間。
043 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
[摘要] 本技術(shù)提供了一種金屬-絕緣體-金屬電容器的制造方法，包括：在半導體襯底的互連結(jié)構(gòu)表面形成第一鈍化層；圖案化所述鈍化層，并沉積第一金屬形成焊盤和導線；所述焊盤用作下電極板，所述導線用作上電極板連接線；在具有焊盤、導線和鈍化層的襯底表面沉積電介質(zhì)層；刻蝕上電極板連接線表面的電介質(zhì)層以便露出上電極板連接線；在所述電介質(zhì)層和上電極板連接線表面沉積第二金屬層作為上電極板；在所述上電極板表面沉積第二鈍化層；刻蝕所述第二鈍化層、第二金屬層和電介質(zhì)層形成絕緣溝槽。本技術(shù)的方法能夠利用器件表層的鋁焊盤和布線形成MIM電容器。
022 堆疊式金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
040 金屬-絕緣體-金屬電容器
006 金屬－絕緣體－金屬電容器制造方法
聯(lián)
028 具有金屬-金屬電容器的集成電路的結(jié)構(gòu)及其形成方法
系
035 形成金屬-絕緣體-金屬電容器的方法及其形成的電容器
電
008 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制作方法
話
025 用于將銅與金屬-絕緣體-金屬電容器結(jié)合的方法和結(jié)構(gòu)
0
027 金屬-絕緣體-金屬電容器之電極的制造方法
2
005 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
8
003 金屬電容器的構(gòu)造及其制造方法
|
021 具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產(chǎn)品
8
001 在鑲嵌制程中形成金屬電容器的方法
1
041 包括金屬絕緣體金屬電容器的集成電路及其制造方法
5
042 金屬-絕緣層-金屬電容器的制造方法
0
031 包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
4
004 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
4
009 具有高介電常數(shù)與低漏電流特性的金屬電容器
1
020 包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產(chǎn)品
6
007 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的集成元件
037 包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
1
034 鋁材質(zhì)堆迭式金屬電容器及電感器的集成制程方法
8
032 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
9
023 具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
8
011 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
2
026 金屬絕緣體金屬電容器
1
015 利用回蝕制造的金屬-絕緣體-金屬電容器
9
029 集成的金屬-絕緣體-金屬電容器和金屬柵晶體管及方法
0
038 形成金屬-絕緣體-金屬電容器的方法及所形成器件
2
019 金屬-絕緣體-金屬電容器及互連結(jié)構(gòu)
3
039 使用硬掩膜金屬絕緣體金屬電容器的形成
0
002 利用鑲嵌制程形成金屬電容器的方法及其產(chǎn)品
033 在同一層次處制造金屬絕緣體金屬電容器和電阻器的方法
018 銅制金屬-絕緣體-金屬電容器
036 半導體芯片中具有降低的電壓相關(guān)性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
010 形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法
014 堆疊式金屬-氧化物-金屬電容器結(jié)構(gòu)
016 金屬-絕緣體-金屬電容器及其制造方法
030 金屬電容器的制造方法
以上43項技術(shù)包括在一張光盤內(nèi)，售價200元，光盤編號：A5000-34726。
免費貨到付款。訂購電話：028-81504416 18982190230 15328023369 QQ:89728219
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