PESD5V0L2BT SOT23 絲印V4t進(jìn)口NXP 開(kāi)關(guān)二極管 恒流二極管

批發(fā)數(shù)量 100-2999PCS 3000-29999PCS ≥30000PCS
梯度價(jià)格 0.50 0.39 0.36
型號(hào)
PESD5V0L2BT
品牌
NXP/恩智浦
產(chǎn)品類型
靜電保護(hù)二極管
是否進(jìn)口
材料
硅(Si)
封裝
SOT23
工作溫度范圍
-40--125(℃)
針腳數(shù)
3
批號(hào)
12+

                
 
專題簡(jiǎn)介:
ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因?!綨XP半導(dǎo)體】及【安森美半導(dǎo)體】提供各種類型的ESD/TVS保護(hù)二極管,非常適用于對(duì)抗ESD及其他電壓突變脈沖。這些器件最多可以保護(hù)18個(gè)數(shù)據(jù)通道,最大可抵抗30kV的尖峰脈沖.其引腳容抗可低至1pF,非常適合保護(hù)高速(可達(dá)200MHz以上)數(shù)據(jù)線,由于他們的小體積及非常小的漏電流,因此也適用于一些對(duì)空間及功耗要求嚴(yán)格的場(chǎng)合,如電池供電及手持設(shè)備。
 
 

概述

ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現(xiàn)象是損壞芯片的主要原因。NXP提供一個(gè)新系列的ESD保護(hù)二極管,非常適用于對(duì)抗ESD及其他電壓突變脈沖。這些器件最多可以保護(hù)18個(gè)數(shù)據(jù)通道,最大可抵抗30kV的尖峰脈沖.其引腳容抗僅為10pF,非常適合保護(hù)高速或高頻(可達(dá)200MHz以上)數(shù)據(jù)線,由于他們的小體積及非常小的漏電流,他們非常適用于一些對(duì)空間及功耗要求嚴(yán)格的場(chǎng)合,如電池供電及手持設(shè)備。
PSED3V3L2UM及PESD5V0L2UM為市場(chǎng)中最先推出的無(wú)引腳封裝的ESD保護(hù)器件,超小的SOT883封裝,支持15kV的保護(hù)級(jí)別, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm體積使其支持更高的保護(hù)級(jí)別,體積相比SOT23縮小了90%.

 


 

主要特性

出色的ESD保護(hù)特性
極低容抗
超快的響應(yīng)速度(<1ns)
低鉗位電壓
超低漏電流
極小封裝
IEC 61000-4-2,level 4認(rèn)證(> 15 kV非接觸放電, > 8 kV接觸放電)
HBM MIL-Std 883, class 3認(rèn)證(> 4 kV)
 

  通過(guò)此圖,我們可以清晰看出,ESD保護(hù)器件在抑制ESD、電氣快速瞬變(EFT)、浪涌瞬變有出色表現(xiàn)。

 


  

電路板布線及ESD保護(hù)相關(guān)經(jīng)驗(yàn)

電路板布線對(duì)于抑制ESD、電氣快速瞬變(EFT)、浪涌瞬變是非常關(guān)鍵的。建議遵循如下的指導(dǎo)方針:
盡可能將ESD保護(hù)器件靠近輸入端或者連接器。
ESD保護(hù)器件與被保護(hù)線之間的線路距離應(yīng)該盡量短。
盡量減少信號(hào)線路并排走線。
避免被保護(hù)的導(dǎo)線與未被保護(hù)的導(dǎo)線并排走線。
所有印刷電路板的傳導(dǎo)環(huán)路包括電源和地線環(huán)路應(yīng)該盡量少。
瞬變現(xiàn)象回到地的線路距離應(yīng)該盡量短。
避免與其他器件使用同一條回路來(lái)連接公共接地點(diǎn)。
盡可能使用接地層,多層印刷電路板應(yīng)使用接地過(guò)孔。