品牌:ROHM/羅姆 | 型號(hào):UDZS TE-17 20B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:HEMT高電子遷移率
品牌:KEMET/基美 | 型號(hào):20V10UF B | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
品牌:NXP/恩智浦 | 型號(hào):BT152B-800R,118 | 控制方式:其他 | 極數(shù):三極 | 封裝材料:其他
≥5 PCS
¥0.10
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):3CD4B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:F-1 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:- | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:-
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Panasonic/松下 | 型號(hào):2SC2778-B | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.2 | 集電極最大允許電流ICM:0.03 | 截止頻率fT:230
≥3000 PCS
¥0.16
應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):B562 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.9 | 擊穿電壓VCBO:20 | 集電極最大允許電流ICM:1
≥1000 PCS
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Hitachi/日立 | 型號(hào):2SB561 | 材料:硅(SI) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.5 | 擊穿電壓VCBO:20 | 集電極最大允許電流ICM:0.7
≥1000 PCS
¥0.07
應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):TLZ20B-GS08 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片/直插 | 產(chǎn)品類型:放大二極管 | 用途:放大 | 是否進(jìn)口:是
≥3000 PCS
¥0.01
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):B1226,2SB1226 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 擊穿電壓VCBO:110 | 極性:PNP型 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:/ | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 應(yīng)用范圍:達(dá)林頓