場效應(yīng)管 CMB7N60,KIA7N60HB

批發(fā)數(shù)量
梯度價(jià)格
型號(hào)
CMB7N60
品牌
Cmos
種類
絕緣柵(MOSFET)
溝道類型
N溝道
導(dǎo)電方式
增強(qiáng)型
用途
S/開關(guān)
封裝外形
SMD(SO)/表面封裝
材料
N-FET硅N溝道

產(chǎn)品型號(hào):CMB7N60
封裝:SOT-263
源漏極間雪崩電壓V(br)dss(V):600
夾斷電壓VGS(V):±30
最大漏極電流Id(A):7
產(chǎn)品型號(hào):KIA7N60HB
封裝:SOT-263
源漏極間雪崩電壓V(br)dss(V):600
夾斷電壓VGS(V):±30
最大漏極電流Id(A):7.4
源漏極最大導(dǎo)通電阻rDS(on)(Ω):1.1 @VGS = 10 V
開啟電壓VGS(TH)(V):5
功率PD(W):142
輸入電容Ciss(PF):1130 typ.
通道極性:N溝道
單脈沖雪崩能量EAS(mJ):580
導(dǎo)通延遲時(shí)間Td(on)(ns):70 typ.
上升時(shí)間Tr(ns):170 typ.
關(guān)斷延遲時(shí)間Td(off)(ns):140 typ.
下降時(shí)間Tf(ns):130 typ.
溫度(℃): -55 ~150
描述:600V,7A N-溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管