應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):2SB772 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:TO-92 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 截止頻率fT:0

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):D882 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹(shù)脂封裝 | 是否提供加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:100

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:RJD | 型號(hào):B772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):B772 TO-92 | 材料:鍺(Ge) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:1 | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:1 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:藍(lán)箭 | 型號(hào):2SB772 | 類(lèi)型:其他IC | 處理器速度:標(biāo)準(zhǔn)穩(wěn)定 | 用途:電腦 | 封裝:TO126F

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:AME/安茂微 | 型號(hào):HM772-Q | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:0 | 集電極最大允許電流ICM:0 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:0 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:0

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):2SB772 2SD882 | 類(lèi)型:其他IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO126

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SB772 | 封裝形式:直插型 | 類(lèi)型:其他IC | 集電極最大允許電流ICM:3 | 是否提供加工定制:否

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長(zhǎng)電 | 型號(hào):2SB772 2SD882 | 類(lèi)型:其他IC | 批號(hào):11+ | 封裝:SOT89

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:進(jìn)口 | 型號(hào):2SB772 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:n | 集電極最大允許電流ICM:n | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:n | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | N:N | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:N

類(lèi)型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):KSB772 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 供應(yīng)商類(lèi)型:自主生產(chǎn)廠(chǎng)商

應(yīng)用范圍:振蕩 | 品牌:KEC | 型號(hào):KRA772U | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:21 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:41 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:US6 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:12

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KRA772E | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:24 | 集電極最大允許電流ICM:30 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:15 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類(lèi)型:TES6 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):2SB772 | 類(lèi)型:通信IC | 批號(hào):11+ | 封裝:TO-126