場效應(yīng)管 MOS管 MOSFET管 4N60 TO-252

批發(fā)數(shù)量 2500-9999 10000-29999 ≥30000
梯度價格 0.75 0.70 0.68
型號
HX4N60
品牌
HX
種類
結(jié)型(JFET)
溝道類型
N溝道
導(dǎo)電方式
增強(qiáng)型
用途
S/開關(guān)
封裝外形
CER-DIP/陶瓷直插
跨導(dǎo)
70
最大漏極電流
11200
開啟電壓
4
夾斷電壓
2
低頻噪聲系數(shù)
30
極間電容
50
最大耗散功率
49000

       深圳海恩科技發(fā)展有限公司  是一家集電源半導(dǎo)體元器件(IC;高、低壓場效應(yīng)管(MOSFET);肖特基二極管等)供應(yīng)、產(chǎn)品方案提供、專業(yè)技術(shù)服務(wù)于一體的綜合性企業(yè)。我們提供的不只是元器件,我們還提供一流的技術(shù)支持和產(chǎn)品方案,您的滿意是我們至高的追求。
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     HX4N60是一顆高性能的開關(guān)MOSFET,主要用于LED驅(qū)動電源、中小功率適配器,IPAD充電器中,其高性能、低價格,配以我司的CRE2263、CRE2532等驅(qū)動IC,其性價比可超目前市場單片內(nèi)置MOSFET的電源IC,其TO-252的小封裝,更適合于LED驅(qū)動電源、小體積電源、充電器方案的應(yīng)用。