詳細信息
4因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強可靠性與穩(wěn)定性
5低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計
6殘留誘導系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源
高壓貼片電容
高壓貼片電容又名陶瓷多層片式電容器，是一種用陶瓷粉生產(chǎn)技術(shù)，
內(nèi)部為貴金屬鈀金，用高溫燒結(jié)法將銀鍍在陶瓷上作為電極制成。
產(chǎn)品分為高頻瓷介NPO(COG)和低頻瓷介X7R兩種材質(zhì)。
NPO具有小的封裝體積，高耐溫度系數(shù)的電容，高頻性能好，
用于高穩(wěn)定振蕩回路中，作為電路濾波電容。X7R瓷介電容器限于在工作普通頻率的回路中作旁路或隔直流用，
或?qū)Ψ€(wěn)定性和損耗要求不高的場合,這種電容器不宜使用在交流（AC)脈沖電路中，因為它們易于被脈沖電壓擊穿，
所以不建義使用在交流電路中。
高壓貼片電容分三類：
一類為溫度補償型NPO介質(zhì)
NP0又名COG電氣性能最穩(wěn)定，基本上不隨溫度、電壓、時間的改變，屬超穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型，適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數(shù)型X7R介質(zhì)
X7R是一種強電介質(zhì)，因而能制造出容量比NPO介質(zhì)更大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定，隨溫度、電壓時間的改變，其特有的性能變化并不顯著，屬穩(wěn)定電容材料類型，使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導體型X5R介質(zhì)
X5R具有較高的介電常數(shù)，常用于生產(chǎn)比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R，容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感，主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及傍路電路中。 優(yōu)點：封裝體積小,質(zhì)量穩(wěn)定，絕緣性能高，耐高壓 缺點:容量較小，目前最大100UF，易于被脈沖電壓擊穿。
性能參數(shù)：
1.材質(zhì)NPO(COG).X7R.X5R.Y5V
2.容量0.1PF-100PF-1NF-1UF-100UF
3電壓6.3V-100V-1KV-2KV-5KV
4.封裝0201-0805-1206-1812-2225
應用范圍：產(chǎn)品廣泛用于模塊電源、汽車電子，通訊電源，LED照明電源等領(lǐng)域，有著廣闊的應用發(fā)展前景.
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1利用貼片陶瓷電容器介質(zhì)層的薄層化和多層疊層技術(shù)，使電容值大為擴大
2·單片結(jié)構(gòu)保證有極佳的機械性強度及可靠性
3極高的精確度，在進行自動裝配時有高度的準確性
4因僅有陶瓷和金屬構(gòu)成，故即便在高溫，低溫環(huán)境下亦無漸衰的現(xiàn)象出現(xiàn)，具有較強可靠性與穩(wěn)定性
5低集散電容的特性可完成接近理論值的電路設(shè)計
6殘留誘導系數(shù)小，確保上佳的頻率特性
7因電解電容器領(lǐng)域也獲得了電容，故使用壽命延長，更造于具有高可靠性的電源
8由于ESR低，頻率特性良好，故最適合于高頻，高密度類型的電源
工作溫度范圍: -55～125℃
額定電壓: 100VDC～3000VDC
溫度特性: NPO:≤±30ppm/℃,-55～125℃（EIA：Class I）
X7R:≤±15%,-55～125℃（EIA：Class II）
容量范圍: NPO:2pF to 100nF;X7R:150pF to 2.2uF
損失角正切(tanδ): NPO:Q≥1000；X7R:D.F.≤2.5%
絕緣電阻: 10GΩ 或 500/C Ω 取兩者最小值
老化速率: NPO:1%;X7R:2.5% 一個decade時間
介質(zhì)電耐電壓： 100V ≤ V ＜500V :200%
額定電壓 ：500V ≤ V ＜1000V :150%
額定電壓 ：1000v≤
SMD高壓貼片電容價格
LED燈常用高壓貼片電容和大容量貼片電容
高壓陶瓷貼片電容-可代替?zhèn)鹘y(tǒng)插件電容縮小電源體積(LED電源專用)
規(guī)格主要有: