應(yīng)用范圍:達(dá)林頓 | 品牌:ON/安森美 | 型號(hào):RB415D | 材料:硅(Si) | 封裝形式:SOT-23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SK398 400 403 405 412 415 500 534 538 557 560 564 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應(yīng)用范圍:高反壓 | 品牌:Luxeon麗訊 | 型號(hào):2SK2196、2SK2197、2SK2198、2SK2209、2SK2222 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:= | 集電極最大允許電流ICM:= | 極性:N/P型 | 截止頻率fT:= | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 封裝材料:樹脂封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:=

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:Zetex/捷特科 | 型號(hào):ZTX415 | 類型:其他IC | 產(chǎn)品性質(zhì):新品 | 營(yíng)銷方式:現(xiàn)貨 | 導(dǎo)電類型:雙極型 | 處理信號(hào):模擬信號(hào) | 集成程度:小規(guī)模 | 規(guī)格尺寸:10 | 批號(hào):2010+ | 工作溫度:-40~125 | 靜態(tài)功耗:680 | 封裝:TO-92 | 制作工藝:半導(dǎo)體集成

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:中芯 | 型號(hào):3DG415 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:- | 備注:全新原裝 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:穩(wěn)壓管 | 是否進(jìn)口:否 | 加工定制:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 擊穿電壓VCEO:-

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):GM75HB06BL | 材料:鍺(Ge) | 備注:415 | 用途:2 | 產(chǎn)品類型:GMB01 | 是否進(jìn)口:是 | 主要參數(shù):233 | 加工定制:否 | 00:00

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KRC863F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:2 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:415 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:TFS6 | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:2

應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:KEC | 型號(hào):KRA560F | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:20 | 集電極最大允許電流ICM:3 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:415 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型 | 產(chǎn)品類型:TFSV | 是否進(jìn)口:是 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:23

應(yīng)用范圍:功率 | 品牌:國(guó)產(chǎn) | 型號(hào):3DG415 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:0.8 | 擊穿電壓VCBO:300 | 集電極最大允許電流ICM:0.1 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:100 | 結(jié)構(gòu):面接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 是否提供加工定制:是

類型:BU415B | 品牌:三極管 | 型號(hào):BU415B | 封裝:MOT/ON/RCA | 批號(hào):專鐵帽TO-3CAN