詳細(xì)信息
咪頭的定義
咪頭，是將聲音信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的能量轉(zhuǎn)換器件，是和喇叭正好相反的一個(gè)器件（電→聲）。是聲音設(shè)備的兩個(gè)終端，咪頭是輸入，喇叭是輸出。又名麥克風(fēng)，話筒，傳聲器，咪膽等。
咪頭分類
1、從工作原理上分：炭精粒式、電磁式、電容式、駐極體電容式（以下介紹以駐極體式為主）、壓電晶體式、壓電陶瓷式、二氧化硅式等
2、從尺寸大小分,駐極體式又可分為若干種.
Φ9.7系列產(chǎn)品 Φ8系列產(chǎn)品 Φ6系列產(chǎn)品
Φ4.5系列產(chǎn)品 Φ4系列產(chǎn)品 Φ3系列產(chǎn)品
每個(gè)系列中又有不同的高度
3、從咪頭的方向性，可分為全向，單向，雙向（又稱為消噪式）
4、從極化方式上分，振膜式,背極式,前極式
從結(jié)構(gòu)上分又可以分為柵極點(diǎn)焊式,柵極壓接式,極環(huán)連接式等
5、從對(duì)外連接方式分
普通焊點(diǎn)式：L型
帶PIN腳式：P型
同心圓式： S型
結(jié)構(gòu)
以全向MIC,振膜式極環(huán)連接式為例
1、防塵網(wǎng)：
保護(hù)咪頭，防止灰塵落到振膜上，防止外部物體刺破振膜，還有短時(shí)間的防水作用。
2、外殼：
整個(gè)咪頭的支撐件，其它件封裝在外殼之中，是傳聲器的接地點(diǎn)，還可以起到電磁屏蔽的作用。
3、振膜：是一個(gè)聲-電轉(zhuǎn)換的主要零件，是一個(gè)繃緊的特氟窿塑料薄膜粘在一個(gè)金屬薄圓環(huán)上,薄膜與金屬環(huán)接觸的一面鍍有一層很薄的金屬層,薄膜可以充有電荷，也是組成一個(gè)可變電容的一個(gè)電極板，而且是可以振動(dòng)的極板。
4、墊片：
支撐電容兩極板之間的距離，留有間隙，為振膜振動(dòng)提供一個(gè)空間，從而改變電容量。
5、背極板：
電容的另一個(gè)電極，并且連接到了FET（場(chǎng)效應(yīng)管）的G（柵）極上。
6、銅環(huán)：
連接極板與FET（場(chǎng)效應(yīng)管）的G（柵）極，并且起到支撐作用。
7、腔體：
固定極板和極環(huán)，從而防止極板和極環(huán)對(duì)外殼短路（FET（場(chǎng)效應(yīng)管）的S（源極），G（柵）極短路）。
8、PCB組件：
裝有FET，電容等器件，同時(shí)也起到固定其它件的作用。
9、PIN：有的傳聲器在PCB上帶有PIN（腳），可以通過PIN與其他PCB焊接在一起，起連接另外前極式，背極式在結(jié)構(gòu)上也略有不同。
電原理圖
FET(場(chǎng)效應(yīng)管)MIC的主要器件，起到阻抗變換或放大的作用，
C;是一個(gè)可以通過膜片震動(dòng)而改變電容量的電容，聲電轉(zhuǎn)換的主要部件。
C1,C2是為了防止射頻干擾而設(shè)置的，可以分別對(duì)兩個(gè)射頻頻段的干擾起到抑制作用。
RL:負(fù)載電阻，它的大小決定靈敏度的高低。
VS:工作電壓，MIC提供工作電壓
:CO:隔直電容，信號(hào)輸出端
工作原理
由靜電學(xué)可知，對(duì)于平行板電容器，有如下的關(guān)系式：C=ε．S/L ……①即電容的容量與介質(zhì)的介電常數(shù)成正比，與兩個(gè)極板的面積成正比，與兩個(gè)極板之間的距離成反比。
另外，當(dāng)一個(gè)電容器充有Q量的電荷，那么電容器兩個(gè)極板要形成一定的電壓，有如下關(guān)系式：C=Q/V ……②
對(duì)于一個(gè)駐極體咪頭，內(nèi)部存在一個(gè)由振膜，墊片和極板組成的電容器，因?yàn)槟て铣溆须姾?，并且是一個(gè)塑料膜，因此當(dāng)膜片受到聲壓強(qiáng)的作用，膜片要產(chǎn)生振動(dòng)，從而改變了膜片與極板之間的距離，從而改變了電容器兩個(gè)極板之間的距離，產(chǎn)生了一個(gè)Δd的變化，因此由公式①可知，必然要產(chǎn)生一個(gè)ΔC的變化，由公式②又知，由于ΔC的變化，充電電荷又是固定不變的，因此必然產(chǎn)生一個(gè)ΔV的變化。
這樣初步完成了一個(gè)由聲信號(hào)到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。
由于這個(gè)信號(hào)非常微弱，內(nèi)阻非常高，不能直接使用，因此還要進(jìn)行阻抗變換和放大。
FET場(chǎng)效應(yīng)管是一個(gè)電壓控制元件，漏極的輸出電流受源極與柵極電壓的控制。
由于電容器的兩個(gè)極是接到FET的S極和G極的，因此相當(dāng)于FET的S極與G極之間加了一個(gè)Δv的變化量，F(xiàn)ET的漏極電流I就產(chǎn)生一個(gè)ΔID的變化量，因此這個(gè)電流的變化量就在電阻RL上產(chǎn)生一個(gè)ΔVD的變化量，這個(gè)電壓的變化量就可以通過電容C0輸出，這個(gè)電壓的變化量是由聲壓引起的，因此整個(gè)咪頭就完成了一個(gè)聲電的轉(zhuǎn)換過程。
技術(shù)指標(biāo)
咪頭的測(cè)試條件;MIC的使用應(yīng)規(guī)定其工作電壓和負(fù)載電阻,不同的使用條件,其靈敏度的大小有很大的影響
電壓 電阻
1、消耗電流：即咪頭的工作電流
主要是FET在VSG=0時(shí)的電流，根據(jù)FET的分檔，可以做成不同工作電流的傳聲器。但是對(duì)于工作電壓低、負(fù)載電阻大的情況下，對(duì)于工作電流就有嚴(yán)格的要求，由電原理圖可知
VS=VSD+ID×RL ID = (VS- VSD)/ RL
式中 ID FET 在VSG等于零時(shí)的電流
RL為負(fù)載電阻
VSD,即FET的S與D之間的電壓降
VS為標(biāo)準(zhǔn)工作電壓
總的要求 100μA〈IDS〈500μA
2、靈敏度：單位聲壓強(qiáng)下所能產(chǎn)生電壓大小的能力。
單位：V/Pa 或 dBV/Pa 有的公司使用是dBV/μBar
-40 dBV/Pa=-60dBV/μBar
0 dBV/Pa=1V/Pa
聲壓強(qiáng)Pa=1N/m2
3、輸出阻抗：基本相當(dāng)于負(fù)載電阻RL(1-70%)之間。
4、方向性及頻響特性曲線：
a、全向: MIC的靈敏度是在相同的距離下在任何方向上相等，全向MIC的結(jié)構(gòu)是PCB上全部密封,因此,聲壓只有從MIC的音孔進(jìn)入，因此是屬于壓強(qiáng)型傳聲器。
頻率特性圖：
b、單向 單向MIC 具有方向性，如果MIC的音孔正對(duì)聲源時(shí)為0度，那么在0度時(shí)靈敏度最高，180度時(shí)靈敏度最低，在全方位上呈心型圖，單向MIC的結(jié)構(gòu)與全向MIC不同，它是在PCB上開有一些孔，聲音可以從音孔和PCB的開孔進(jìn)入，而且MIC的內(nèi)部還裝有吸音材料，因此是介于壓強(qiáng)和壓差之間的MIC。
頻率特性圖：
c、消噪型：是屬于壓差式MIC，它與單向MIC不同之處在于內(nèi)部沒有吸音材料，它的方向型圖是一個(gè)8字型
頻率特性：
5、頻率范圍：
全向： 50~12000Hz 20~16000Hz
單向：100~12000Hz 100~16000Hz
消噪：100~10000Hz
6、最大聲壓級(jí):是指MIC的失真在3%時(shí)的聲壓級(jí),聲壓級(jí)定義:20μpa=0dBSPL
MaxSPL為115dBSPLA SPL聲壓級(jí) A為A計(jì)權(quán)
7、S/N信噪比：即MIC的靈敏度與在相同條件下傳聲器本身的噪聲之比，詳見產(chǎn)品手冊(cè)，噪聲主要是FET本身的噪聲