退磁機(jī) 直流高壓設(shè)備電容器

一.MFO、MFD系列金屬化薄膜脈沖電容器

 
概述： 
     “CSF” 金屬化薄膜脈沖脈沖（儲(chǔ)能）電容器能夠在較長時(shí)間內(nèi)充電，而在極短時(shí)間內(nèi)放電，從而形成一個(gè)巨大的脈沖功率。脈沖功率的獲取是靠已充電的脈沖電容器組，通過主電抗器短時(shí)振蕩放電獲得的，而脈沖電容器組是在試驗(yàn)前由功率不大的充電裝置，用較長的時(shí)間充電，振蕩放電僅為數(shù)十毫秒，從而大大提高了試驗(yàn)功率與電源功率之比，提高了經(jīng)濟(jì)效率。
  
應(yīng)用領(lǐng)域：
 廣泛應(yīng)用于充磁機(jī)、退磁機(jī)，激光電源，醫(yī)用器械，儲(chǔ)能焊接機(jī)等；直流高壓設(shè)備、整流濾波裝置振蕩回路、連續(xù)脈沖裝置，沖擊電壓發(fā)生器、沖擊電流發(fā)生器、沖擊分壓器及其他非連續(xù)脈沖裝置。
  
主要特點(diǎn)：
 ·功耗低，適宜于大功率、大電流、高耐壓、高浪涌應(yīng)用；
 ·具有最好的容量和體積性能比；
 ·隨溫度變化小，使用壽命長；
 ·反峰電壓可達(dá)最高；
 ·高儲(chǔ)能,耐高脈沖電流能力；
 ·自恢復(fù)特性好，性能穩(wěn)定；
 ·低電感,低ESR；
 ·外殼材料為不銹鋼或冷軋板、安裝方便 。
  
主要技術(shù)參數(shù)：
   ·容量范圍：C=100μF～6000μF；
   ·容量偏差：一般±5%，根據(jù)要求可以更?。?br>   ·額定電壓：Un=1KV～5KV；
   ·等效串聯(lián)電阻：ESR≤5mΩ
   ·反峰電壓可達(dá)80%以上；
    ·充放電次數(shù)：可達(dá)2，000，000次； 
   ·損耗角正切：tgδ≤0.002（100Hz）；
   ·使用環(huán)境溫度寬：-40℃～+75℃；
   ·使用地點(diǎn)：任何地點(diǎn)；
   ·使用標(biāo)準(zhǔn)：JB/T8168 或客戶要求。
 
 主要產(chǎn)品規(guī)格： 

產(chǎn)品型號(hào)	電壓（KV）	容量（μF）
MFO(D)1K001007	1.0	1000
MFO(D)1K002007	1.0	2000
MFO(D)1K005007	1.0	5000
MFO(D)1K205006	1.2	500
MFO(D)1K201007	1.2	1000
MFO(D)1K202007	1.2	2000
MFO(D)1K505006	1.5	500
MFO(D)1K501007	1.5	1000
MFO(D)1K501507	1.5	1500
MFO(D)1K602006	1.6	200
MFO(D)1K605006	1.6	500
MFO(D)1K601007	1.6	1000
MFO(D)1K601507	1.6	1500
MFO(D)2K002006	2.0	200
MFO(D)2K005006	2.0	500
MFO(D)2K001007	2.0	1000
MFO(D)2K205006	2.2	500
MFO(D)2K201007	2.2	1000
MFO(D)2K502006	2.5	200
MFO(D)2K505006	2.5	500
MFO(D)3K002006	3.0	200
MFO(D)3K005006	3.0	500
MFO(D)4K002006	4.0	200
MFO(D)4K005006	4.0	500
MFO(D)4K502006	4.5	200
MFO(D)4K505006	4.5	500
MFO(D)5K002006	5.0	200
MFO(D)5K005006	5.0	500
以上數(shù)據(jù)僅供參考，根據(jù)用戶要求，我們可以設(shè)計(jì)、制造其它規(guī)格要求的脈沖電容器。