應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:A1015GR/A1015Y | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:長電 | 型號:1015/A1015/BA | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:A1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:功率 | 品牌:國產 | 型號:1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:A1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:- | 極性:NPN型 | 集電極最大允許電流ICM:- | 截止頻率fT:- | 結構:點接觸型 | 是否提供加工定制:否 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:放大 | 品牌:331 | 型號:2SA1015GR | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SA1015GR | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:F | 型號:FMC1616L1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:直插型 | 集電極最大耗散功率PCM:** | 擊穿電壓VCBO:** | 集電極最大允許電流ICM:** | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:** | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號:2SA1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:長電代理原裝正品 | 擊穿電壓VCBO:長電代理原裝正品 | 集電極最大允許電流ICM:長電代理原裝正品 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:長電代理原裝正品 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝

品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOZ1015AI | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOP-8

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUH1215 BUH1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P

應用范圍:放大 | 品牌:原裝正品 | 型號:A1015 | 材料:標準 | 封裝形式:TO-92

應用范圍:放大 | 品牌:國產 | 型號:2SA1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:說明書 | 集電極最大允許電流ICM:說明書 | 截止頻率fT:說明書 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 加工定制:否 | 擊穿電壓VCEO:說明書

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUH1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 集電極最大耗散功率PCM:. | 擊穿電壓VCBO:. | 集電極最大允許電流ICM:. | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結構:合金型 | 封裝材料:金屬封裝

應用范圍:功率 | 品牌:ST/意法 | 型號:BUH1015 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-3P | 集電極最大耗散功率PCM:. | 擊穿電壓VCBO:. | 集電極最大允許電流ICM:. | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:. | 結構:臺面型 | 封裝材料:塑料封裝