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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | CDP1822CE |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| 中文描述： | 256 X 4 STANDARD SRAM, 450 ns, PDIP22 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商： | CDP1822CE |
6-16
Data Retention Specifications
At T
A
= -40 to +85
o
C, see Figure 3.
PARAMETER
TEST CONDITIONS
LIMITS
UNITS
CDP1822
CDP1822C
V
DR
(V)
V
DD
(V)
MIN
(NOTE 1)
TYP
MAX
MIN
(NOTE 1)
TYP
MAX
Min. Data Retention Voltage
V
DR
-
-
-
1.5
2
-
1.5
2
V
Data Retention Quiescent
Current
I
DD
2
-
-
30
100
-
30
100
μ
A
Chip Deselect to Data Retention
Time
t
CDR
-
5
600
-
-
600
-
-
ns
-
10
300
-
-
-
-
-
ns
Recovery to Normal Operation
Time
t
RC
-
5
600
-
-
600
-
-
ns
-
10
300
-
-
-
-
-
ns
V
DD
to VDR Rise and Fall Time
NOTE: Typical values are for T
A
= 25
o
C and nominal V
DD
.
t
R,
t
F
2
5
1
-
-
1
-
-
μ
A
FIGURE 3. LOW V
DD
DATA RETENTION TIME WAVEFORMS
FIGURE 4. MEMORY CELL CONFIGURATION
0.95 V
DD
V
DD
t
CDR
C
S2
V
IH
V
IL
t
RC
V
IH
V
IL
0.95 V
DD
V
DR
DATA RETENTION
MODE
t
f
t
r
WRITE
ADDRESS
DECODER
READ
ADDRESS
DECODER
V
SS
D
V
DD
D
V
DD
CDP1822, CDP1822C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CDP1822CEX | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822D | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822E | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822EX | 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1823C | High-Reliability CMOS 128-Word x 8-Bit Static RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CDP1822CEX | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822CH DIE | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| CDP1822D | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822E | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
| CDP1822EX | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:256-Word x 4-Bit LSI Static RAM |
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