參數(shù)資料
型號(hào)： CA3127M
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： High Frequency NPN Transistor Array
中文描述： 5 CHANNEL, VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012AC
封裝： PLASTIC, SOIC-16
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 60K
代理商： CA3127M
5-6
CA3127
FIGURE 15. OUTPUT ADMITTANCE (Y
22
) vs COLLECTOR
CURRENT
FIGURE 16. FORWARD TRANSADMITTANCE (Y
21
) vs
COLLECTOR CURRENT
FIGURE 17. FORWARD TRANSADMITTANCE (Y
21
) vs
FREQUENCY
FIGURE 18. REVERSE TRANSADMITTANCE (Y
12
) vs
COLLECTOR CURRENT
FIGURE 19. REVERSE TRANSADMITTANCE (Y
12
) vs FREQUENCY
Typical Performance Curves
(Continued)
O
2
)
b
22
g
22
0.375
0.350
0.325
0.300
0.275
0.250
0.225
0.200
0.175
1
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
f = 200MHz
0.400
COLLECTOR CURRENT (mA)
2.7
2.6
2.5
2.4
2.3
2.2
2.1
2.0
1.9
2.8
O
2
)
11
12
M
θ
21
80
60
40
20
1
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
f = 200MHz
COLLECTOR CURRENT (mA)
T
2
|
P
T
θ
2
|
100
|Y
21
|
11
12
-20
-40
-60
-80
-100
0
M
|Y
21
|
θ
21
30
20
10
0
100
1000
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
I
C
= 1mA
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-10
T
2
|
P
T
θ
2
|
FREQUENCY (MHz)
150
200
M
θ
12
0.21
1
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
f = 200MHz
-110
-120
-130
-140
-150
-80
T
1
|
P
T
θ
1
|
|Y
12
|
-100
-90
COLLECTOR CURRENT (mA)
11 12
M
θ
12
0
1000
100
T
A
= 25
o
C
V
CE
= 6V
I
C
= 1mA
0.4
0.3
0.2
-115
-120
T
1
|
P
T
θ
1
|
|Y
12
|
0.5
0.6
0.1
-100
-105
-110
-95
-90
FREQUENCY (MHz)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CA3127M96 High Frequency NPN Transistor Array
CA3130AMZ 15MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output
CA3130AMZ96 15MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output
CA3130EZ 15MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output
CA3130MZ 15MHz, BiMOS Operational Amplifier with MOSFET Input/CMOS Output
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CA3127M916136 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CA3127M96 制造商:Intersil Corporation 功能描述:
CA3127M96136 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CA3127MR2499 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
CA3127MZ 功能描述:兩極晶體管 - BJT W/ANNEAL TXARRAY 5X NPN 16N MIL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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