CY7C25682KV18-550BZXI

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功能描述
靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

CY7C25682KV18-550BZXI 技術參數

CY7C25682KV18-550BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 2.9v 550MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25682KV18-500BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 500MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25682KV18-450BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25682KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25682KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25702KV18-500BZXC CY7C25702KV18-550BZXC CY7C25702KV18-550BZXI CY7C2570KV18-400BZC CY7C2570KV18-450BZC CY7C2570KV18-500BZC CY7C2570XV18-600BZXC CY7C2570XV18-633BZXC CY7C2642KV18-333BZXC CY7C2644KV18-300BZI CY7C2644KV18-300BZXI CY7C2644KV18-333BZI CY7C2644KV18-333BZXI CY7C2663KV18-450BZI CY7C2663KV18-450BZXC CY7C2663KV18-550BZI CY7C2663KV18-550BZXC CY7C2663KV18-550BZXI