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    CSD18533Q5AT

    配單專家企業(yè)名單
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    • 數(shù)量
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    • 價(jià)格
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    • 操作
    • CSD18533Q5AT
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    • 北京京北通宇電子元件有限公司
      北京京北通宇電子元件有限公司

      聯(lián)系人:

      電話:18724450645

      地址:中國上海

    • 321222

    • TI

    • con

    • 24+

    • -
    • 優(yōu)勢(shì)庫存,原裝正品

    • CSD18533Q5AT
      CSD18533Q5AT

      CSD18533Q5AT

    • 深圳市德力誠信科技有限公司
      深圳市德力誠信科技有限公司

      聯(lián)系人:王小姐

      電話:13969210552

      地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國際大廈903室

    • 321222

    • TI

    • con

    • 24+

    • -
    • 現(xiàn)貨常備京北通宇商城可查價(jià)格

    • CSD18533Q5AT
      CSD18533Q5AT

      CSD18533Q5AT

    • 深圳市德力誠信科技有限公司
      深圳市德力誠信科技有限公司

      聯(lián)系人:王小姐

      電話:13969210552

      地址:深圳市福田區(qū)深南中路3031號(hào)漢國中心3204室

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 321222

    • TI

    • con

    • 24+

    • -
    • 優(yōu)勢(shì)庫存,原裝正品

    • CSD18533Q5AT
      CSD18533Q5AT

      CSD18533Q5AT

    • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
      深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

      聯(lián)系人:雷春艷

      電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

      地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 13750

    • TI

    • VSON8

    • 15+

    • -
    • 全新原裝現(xiàn)貨

    • CSD18533Q5AT
      CSD18533Q5AT

      CSD18533Q5AT

    • 北京耐芯威科技有限公司
      北京耐芯威科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 0

    • 原廠封裝

    • 10000

    • 16+/17+

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    • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

    • CSD18533Q5AT
      CSD18533Q5AT

      CSD18533Q5AT

    • 深圳市芯馳科技有限公司
      深圳市芯馳科技有限公司

      聯(lián)系人:丁皓鵬

      電話:1866538497818124166365

      地址:福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

      資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

    • 100000

    • TEXAS INSTRUMENTS

    • N/A

    • 15+

    • -
    • 原裝正品 價(jià)格優(yōu)勢(shì)!

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    • 1
    CSD18533Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
    • 功能描述
    • MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
    • 制造商
    • texas instruments
    • 系列
    • NexFET??
    • 包裝
    • 剪切帶(CT)
    • 零件狀態(tài)
    • 有效
    • FET 類型
    • MOSFET N 通道,金屬氧化物
    • FET 功能
    • 邏輯電平門
    • 漏源極電壓(Vdss)
    • 60V
    • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí))
    • 17A(Ta),100A(Tc)
    • 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)
    • 5.9 毫歐 @ 18A,10V
    • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)
    • 2.3V @ 250μA
    • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg)
    • 36nC @ 10V
    • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)
    • 2750pF @ 30V
    • 功率 - 最大值
    • 3.2W
    • 工作溫度
    • -55°C ~ 150°C(TJ)
    • 安裝類型
    • 表面貼裝
    • 封裝/外殼
    • 8-PowerTDFN
    • 供應(yīng)商器件封裝
    • 8-VSON(5x6)
    • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
    • 1
    CSD18533Q5AT 技術(shù)參數(shù)
    • CSD18533Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):36nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2750pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18533KCS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):72A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.3 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3025pF @ 30V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 CSD18532Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):58nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):5070pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):3.2W(Ta),156W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532Q5B 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):58nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5070pF @ 30V 功率 - 最大值:3.2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18532NQ5BT 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):100A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):64nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5340pF @ 30V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5 CSD18541F5T CSD18542KCS CSD18542KTT CSD18542KTTT CSD18543Q3A CSD18543Q3AT CSD18563Q5A CSD18563Q5AT CSD19501KCS CSD19502Q5B CSD19502Q5BT CSD19503KCS
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