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CLH03(TE16R,Q)

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CLH03(TE16R,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • DIODE GEN PURP 400V 3A L-FLAT
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 帶卷(TR)
  • 零件狀態(tài)
  • 停產(chǎn)
  • 二極管類型
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值)
  • 400V
  • 電流 - 平均整流(Io)
  • 3A(DC)
  • 速度
  • 快速恢復(fù) = 200mA(Io)
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)
  • 35ns
  • 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • L-FLAT?
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • L-FLAT?(4x5.5)
  • 工作溫度 - 結(jié)
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CLH03(TE16R,Q) 技術(shù)參數(shù)
  • CLH03(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A(DC) 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結(jié):- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH02(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):3A(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH02(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):300V 電流 - 平均整流(Io):3A(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1.3V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 300V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH01(TE16R,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:0.98V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH01(TE16L,Q) 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A L-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):3A(DC) 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:0.98V @ 3A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):35ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:L-FLAT? 供應(yīng)商器件封裝:L-FLAT?(4x5.5) 工作溫度 - 結(jié):-40°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CLH-106-F-D-BE CLH-112-F-D-PE CLH-41-20030 CLH-41-30010 CLH5 CLI/P-RM10/I CLI/P-RM10/ILP CLI/P-RM12/I CLI/P-RM14/I CLI/P-RM8/I CLI/P-RM8/ILP CLI-E25/13/7 CLI-EP10 CLI-EP13 CLINK3V28BT-85 CLINK3V48BT-112 CLINK3V48BT-133 CLIP3-10
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