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CIGT252008LM2R2MNE

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
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  • 1
CIGT252008LM2R2MNE PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • FIXED IND 2.2UH 2A 97MOHM SMD
  • 制造商
  • samsung electro-mechanics
  • 系列
  • CIGT
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 類型
  • 薄膜
  • 材料 - 磁芯
  • 金屬合成物
  • 電感
  • 2.2μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 2A
  • 電流 - 飽和值
  • 2.1A
  • 屏蔽
  • 無屏蔽
  • DC 電阻(DCR)
  • 97 毫歐最大
  • 不同頻率時(shí)的 Q 值
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 1MHz
  • 特性
  • -
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 1008(2520 公制)
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • 1008(2520 公制)
  • 大小/尺寸
  • 0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)
  • 0.032"(0.80mm)
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
CIGT252008LM2R2MNE 技術(shù)參數(shù)
  • CIGT252008LM1R0MNE 功能描述:FIXED IND 1UH 3.1A 50MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:薄膜 材料 - 磁芯:金屬合成物 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.8A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):50 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.032"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT252008LHR47MNE 功能描述:FIXED IND 470NH 4.2A 29MOHM SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:薄膜 材料 - 磁芯:金屬合成物 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:4.2A 電流 - 飽和值:5.5A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):29 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.032"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT252008EH1R0MNE 功能描述:FIXED IND 1UH SMD 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 類型:薄膜 材料 - 磁芯:金屬合成物 電感:1μH 容差:±20% 屏蔽:- DC 電阻(DCR):- 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:- 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.032"(0.80mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT252007LM3R3MNC 功能描述:FIXED IND 3.3UH 1.1A 291MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:薄膜 材料 - 磁芯:金屬合成物 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:1.9A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):291 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.028"(0.70mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT252007LM2R2MNC 功能描述:FIXED IND 2.2UH 1.6A 140MOHM 制造商:samsung electro-mechanics 系列:CIGT 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:薄膜 材料 - 磁芯:金屬合成物 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:1.6A 電流 - 飽和值:2.2A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻(DCR):140 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:1MHz 特性:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:1008(2520 公制) 供應(yīng)商器件封裝:1008(2520 公制) 大小/尺寸:0.098" 長 x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm) 高度 - 安裝(最大值):0.028"(0.70mm) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CIGT252010LM2R2SNE CIGT252010LMR24MNE CIGT252010LMR33MNE CIGT252010LMR47MNE CIGT252010LMR68MNE CIGT252012LM1R0MNE CIGT252012LM2R2MNE CIGT252012LMR47MNE CIGT252012LMR68MNE CIGW160808XMR47MLC CIGW160808XMR47SLC CIGW201610GH1R0MLE CIGW201610GH1R5MLE CIGW201610GH2R2MLE CIGW201610GH4R7MLE CIGW201610GHR33MLE CIGW201610GHR47MLE CIGW201610GHR68MLE
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