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CEDS055V0-G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CEDS055V0-G
    CEDS055V0-G

    CEDS055V0-G

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 91000

  • Comchip

  • SMD

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • CEDS055V0-G
    CEDS055V0-G

    CEDS055V0-G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • Comchip Technology

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • CEDS055V0-G
    CEDS055V0-G

    CEDS055V0-G

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Comchip

  • SMD

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

  • CEDS055V0-G
    CEDS055V0-G

    CEDS055V0-G

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
CEDS055V0-G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TVS 二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制器 IC ESD/RVS SUPPRESS 4CH
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 極性
  • Bidirectional
  • 工作電壓
  • 擊穿電壓
  • 58.9 V
  • 鉗位電壓
  • 77.4 V
  • 峰值浪涌電流
  • 38.8 A
  • 系列
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AB
  • 最小工作溫度
  • - 55 C
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
CEDS055V0-G 技術(shù)參數(shù)
  • CEDS0524V-G 功能描述:TVS DIODE 24VWM SOT23-5 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 類型:齊納 單向通道:- 雙向通道:4 電壓 - 反向關(guān)態(tài)（典型值）:24V 電壓 - 擊穿（最小值）:25V 電壓 - 箝位（最大值）@ Ipp:25V 電流 - 峰值脈沖（10/1000μs）:15A（8/20μs） 功率 - 峰值脈沖:- 電源線路保護:無 應(yīng)用:通用 不同頻率時的電容:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74A，SOT-753 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-5 標準包裝:3,000 CEDM8004VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEDM8004 BK 功能描述:MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883 標準包裝:5,000 CEDM8001VL TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應(yīng)商器件封裝:SOT-883VL 標準包裝:1 CEE2X92PF-153PY4LF CEE2X92PF180PY4 CEE2X92PF180PY4LF CEEA-X CEF0602N CEF0604N CEF0607N CEF400-112C CEFA101-G CEFA102-G CEFA103-G CEFA104-G CEFA105-G CEFA201-G CEFA202-G CEFA203-G CEFB101-G CEFB102-G
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