- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369639 > BZX55C30 (Vishay Intertechnology,Inc.) Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | BZX55C30 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| 中文描述： | 硅外延平面的Z -二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 69K |
| 代理商： | BZX55C30 |
BZX55B...
Vishay Telefunken
Rev. 3, 01-Apr-99
3 (6)
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Document Number 85604
Characteristics
(T
j
= 25 C unless otherwise specified)
95 9611
0
5
10
15
0
100
200
300
400
500
20
R
t
l – Lead Length ( mm )
l
l
T
L
=constant
Figure 1. Thermal Resistance vs. Lead Length
0
40
80
120
160
0
100
300
400
500
600
P
t
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
200
95 9602
200
Figure 2. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
5
10
15
20
1
10
100
1000
V
Z
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9598
I
Z
=5mA
T
j
=25
°
C
Figure 3. Typical Change of Working Voltage
under Operating Conditions at T
amb
=25 C
–60
0
T
j
– Junction Temperature (
°
C )
60
120
180
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
V
Z
240
95 9599
V
Ztn
=V
Zt
/V
Z
(25
°
C)
TK
VZ
=10
10
–4
/K
8
6
10
–4
/K
10
–4
/K
–4
10
–4
/K
4
2
10
–4
/K
10
–4
/K
–2
10
–4
/K
0
Figure 4. Typical Change of Working Voltage vs.
Junction Temperature
0
10
20
30
–5
0
5
10
15
T
V
V
Z
– Z-Voltage ( V )
50
95 9600
40
Z
–
I
Z
=5mA
Figure 5. Temperature Coefficient of Vz vs. Z–Voltage
0
5
10
15
0
50
100
150
200
C
D
V
Z
– Z-Voltage ( V )
25
95 9601
20
T
j
=25
°
C
V
R
=2V
Figure 6. Diode Capacitance vs. Z–Voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZX55B3V0 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX55B6V2 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX55B8V2 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
| BZX55B | Silicon Epitaxial Planar Z-Diode(功率損耗500mW的硅外延平面型齊納二極管) |
| BZX55B10 | Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BZX55-C30 | 制造商:TSC 制造商全稱:Taiwan Semiconductor Company, Ltd 功能描述:500mW Zener Diode |
| BZX55C30 _AY _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZX55C30 A0G | 功能描述:DIODE ZENER 30V 500MW DO35 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶盒（TB） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 100mA 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 |
| BZX55C30 SB00018/D8 | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE ZENER 30V 0.5W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:DIODE, ZENER, 30V, 0.5W |
| BZX55C30_ R2 _10001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。