參數(shù)資料
型號(hào)： BZT55B9V1GS18
廠(chǎng)商： VISHAY TELEFUNKEN
元件分類(lèi)： 齊納二極管
英文描述： 9.1 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封裝： SOD-80, QUADROMELF-2
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： BZT55B9V1GS18
BZT55C...
Vishay Telefunken
Rev. 4, 12-Mar-01
2 (6)
www.vishay.com
Document Number 85509
Type
VZnom
IZT for VZT and rzjT
rzjk at IZK
IR and IR at VR
TKVZ
BZT55C...
V
mA
V 1)
W
mA
mA 2)
V
%/K
2 V 4
2.4
5
2.28 to 2.56
< 85
< 600
1
< 50
< 100
1
–0.09 to –0.06
2 V 7
2.7
5
2.5 to 2.9
< 85
< 600
1
< 10
< 50
1
–0.09 to –0.06
3 V 0
3.0
5
2.8 to 3.2
< 90
< 600
1
< 4
< 40
1
–0.08 to –0.05
3 V 3
3.3
5
3.1 to 3.5
< 90
< 600
1
< 2
< 40
1
–0.08 to –0.05
3 V 6
3.6
5
3.4 to 3.8
< 90
< 600
1
< 2
< 40
1
–0.08 to –0.05
3 V 9
3.9
5
3.7 to 4.1
< 90
< 600
1
< 2
< 40
1
–0.08 to –0.05
4 V 3
4.3
5
4.0 to 4.6
< 90
< 600
1
< 1
< 20
1
–0.06 to –0.03
4 V 7
4.7
5
4.4 to 5.0
< 80
< 600
1
< 0.5
< 10
1
–0.05 to +0.02
5 V 1
5.1
5
4.8 to 5.4
< 60
< 550
1
< 0.1
< 2
1
–0.02 to +0.02
5 V 6
5.6
5
5.2 to 6.0
< 40
< 450
1
< 0.1
< 2
1
–0.05 to +0,05
6 V 2
6.2
5
5.8 to 6.6
< 10
< 200
1
< 0.1
< 2
2
0.03 to 0.06
6 V 8
6.8
5
6.4 to 7.2
< 8
< 150
1
< 0.1
< 2
3
0.03 to 0.07
7 V 5
7.5
5
7.0 to 7.9
< 7
< 50
1
< 0.1
< 2
5
0.03 to 0.07
8 V 2
8.2
5
7.7 to 8.7
< 7
< 50
1
< 0.1
< 2
6.2
0.03 to 0.08
9 V 1
9.1
5
8.5 to 9.6
< 10
< 50
1
< 0.1
< 2
6.8
0.03 to 0.09
10
5
9.4 to 10.6
< 15
< 70
1
< 0.1
< 2
7.5
0.03 to 0.1
11
5
10.4 to 11.6
< 20
< 70
1
< 0.1
< 2
8.2
0.03 to 0.11
12
5
11.4 to 12.7
< 20
< 90
1
< 0.1
< 2
9.1
0.03 to 0.11
13
5
12.4 to 14.1
< 26
< 110
1
< 0.1
< 2
10
0.03 to 0.11
15
5
13.8 to 15.6
< 30
< 110
1
< 0.1
< 2
11
0.03 to 0.11
16
5
15.3 to 17.1
< 40
< 170
1
< 0.1
< 2
12
0.03 to 0.11
18
5
16.8 to 19.1
< 50
< 170
1
< 0.1
< 2
13
0.03 to 0.11
20
5
18.8 to 21.2
< 55
< 220
1
< 0.1
< 2
15
0.03 to 0.11
22
5
20.8 to 23.3
< 55
< 220
1
< 0.1
< 2
16
0.04 to 0.12
24
5
22.8 to 25.6
< 80
< 220
1
< 0.1
< 2
18
0.04 to 0.12
27
5
25.1 to 28.9
< 80
< 220
1
< 0.1
< 2
20
0.04 to 0.12
30
5
28 to 32
< 80
< 220
1
< 0.1
< 2
22
0.04 to 0.12
33
5
31 to 35
< 80
< 220
1
< 0.1
< 2
24
0.04 to 0.12
36
5
34 to 38
< 80
< 220
1
< 0.1
< 2
27
0.04 to 0.12
39
2.5
37 to 41
< 90
< 500
0.5
< 0.1
< 5
30
0.04 to 0.12
43
2.5
40 to 46
< 90
< 600
0.5
< 0.1
< 5
33
0.04 to 0.12
47
2.5
44 to 50
< 110
< 700
0.5
< 0.1
< 5
36
0.04 to 0.12
51
2.5
48 to 54
< 125
< 700
0.5
< 0.1
< 10
39
0.04 to 0.12
56
2.5
52 to 60
< 135 < 1000
0.5
< 0.1
< 10
43
0.04 to 0.12
62
2.5
58 to 66
< 150 < 1000
0.5
< 0.1
< 10
47
0.04 to 0.12
68
2.5
64 to 72
< 200 < 1000
0.5
< 0.1
< 10
51
0.04 to 0.12
75
2.5
70 to 79
< 250 < 1500
0.5
< 0.1
< 10
56
0.04 to 0.12
1) tp/T x 100ms, tighter tolerances available on
request: BZT55A...
± 1% of VZnom BZT55B... ± 2%
of VZnom BZT55F... ± 3% of VZnom
2) at Tj= 150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BZT55F16GS08 16 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F3V3GS18 3.3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55F5V6GS18 5.6 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55C43GS08 43 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
BZT55C7V5GS08 7.5 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BZT55B9V1-GS18 功能描述:穩(wěn)壓二極管 9.1 Volt 0.5W 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55C10 功能描述:穩(wěn)壓二極管 10 Volt 500mW 5% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
BZT55C10 L0G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
BZT55C10 L1 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 10V 5% 500mW 2-Pin Quadro Mini-MELF T/R
BZT55C10 L1G 功能描述:DIODE ZENER 10V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱(chēng)值）（Vz）:10V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:100nA @ 7.5V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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