參數(shù)資料
型號： BUT12AI
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon Diffused Power Transistor(硅擴散功率型晶體管)
中文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： BUT12AI
Philips Semiconductors
Product specification
Silicon Diffused Power Transistor
BUT12AI
Fig.3. Test circuit resistive load. VIM = -6 to +8 V
V
= 250 V; tp = 20
μ
s;
δ
= tp / T = 0.01.
R
B
and R
L
calculated from I
Con
and I
Bon
requirements.
Fig.4. Switching times waveforms with resistive load.
Fig.5. Test circuit inductive load.
V
CC
= 300 V; -V
BE
= 5 V;L
B
= 1 uH
Fig.6. Switching times waveforms with inductive load.
Fig.7. Test circuit RBSOA. V
= 150 V; -V
BB
= 5 V
L
C
= 200
μ
H; V
CL
≤
850 V; L
B
= 1
μ
H
Fig.8. Normalised power dissipation.
PD% = 100
PD/PD
25C
= f (T
mb
)
tp
T
VCC
R
R
T.U.T.
0
VIM
B
L
IC
IB
ICon
90 %
IBon
-IBoff
t
t
ts
toff
tf
10 %
IC
IB
10 %
10 %
90 %
90 %
ton
toff
ts
tf
IBon
-IBoff
ICon
tr
30ns
LB
IBend
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
VCL
CFB
LB
IBon
-VBB
LC
T.U.T.
VCC
0
20
40
60
80
100
120
140
Tmb / C
PD%
Normalised Power Derating
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
June 1997
3
Rev 1.000
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PDF描述
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