參數(shù)資料
型號： BUK661R9-40C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 120 A, 40 V, 0.0031 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 5/15頁
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代理商： BUK661R9-40C
BUK661R9-40C
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Product data sheet
Rev. 1 — 18 August 2010
5 of 15
NXP Semiconductors
BUK661R9-40C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to mounting base
thermal resistance from
junction to ambient
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.49
Unit
K/W
R
th(j-a)
vertical in free air
-
60
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae269
single shot
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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BUK662R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK662R7-55C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK663R2-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK663R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
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參數(shù)描述
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BUK662R5-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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