參數(shù)資料
型號： BUK6610-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 78 A, 75 V, 0.0142 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 15/15頁
文件大小： 198K
代理商： BUK6610-75C
NXP Semiconductors
BUK6610-75C
N-channel TrenchMOS FET
NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 14 October 2010
Document identifier: BUK6610-75C
Please be aware that important notices concerning this document and the product(s)
described herein, have been included in section ‘Legal information’.
11. Contents
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
5
6
7
8
9
9.1
9.2
9.3
9.4
10
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
General description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Features and benefits. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Quick reference data . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Ordering information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .2
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .3
Thermal characteristics . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .6
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .11
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12
Legal information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Data sheet status . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Definitions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .13
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
Contact information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .14
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK661R6-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK661R8-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK661R9-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK662R4-40C N-channel TrenchMOS FET
BUK662R5-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK6610-75C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 78A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK661R6-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1400ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK661R6-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS INTERMEDIATE LVL FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK661R8-30C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Cut Tape 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH30V120ASOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,30V,120A,SOT404; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK661R8-30C,118 功能描述:MOSFET N-CHAN 30V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*