參數(shù)資料
型號： BUK655R0-75C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS FET
中文描述： 120 A, 75 V, 0.0074 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/14頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： BUK655R0-75C
BUK655R0-75C
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.
NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 02 — 14 October 2010
5 of 14
NXP Semiconductors
BUK655R0-75C
N-channel TrenchMOS FET
5.
Thermal characteristics
Table 5.
Symbol
R
th(j-mb)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to
mounting base
thermal resistance from junction to
ambient
Conditions
see
Figure 4
Min
-
Typ
-
Max
0.57
Unit
K/W
R
th(j-a)
vertical in free air
-
60
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration
003aae427
single shot
0.2
0.1
0.05
0.02
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
δ
= 0.5
t
p
T
P
t
t
p
T
δ
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK6607-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6607-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6610-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK661R6-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK661R8-30C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK655R0-75C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 75V 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK657-400A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK657-400B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK657-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK657-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*