參數(shù)資料
型號(hào)： BUK654R6-55C
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： N-channel TrenchMOS intermediate level FET
中文描述： 100 A, 55 V, 0.008 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, SC-46, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/14頁(yè)
文件大小： 187K
代理商： BUK654R6-55C
BUK654R6-55C
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Product data sheet
Rev. 02 — 14 October 2010
11 of 14
NXP Semiconductors
BUK654R6-55C
N-channel TrenchMOS intermediate level FET
8.
Revision history
Table 7.
Document ID
Revision history
Release date
Data sheet status
Change notice
Supersedes
BUK654R6-55C v.2
20101014
Status changed from objective to product.
Various changes to content.
20100921
Product data sheet
-
BUK654R6-55C v.1
Modifications:
BUK654R6-55C v.1
Objective data sheet
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BUK654R8-40C N-channel TrenchMOS intermediate level FET
BUK655R0-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6607-55C N-channel TrenchMOS logic and standard level FET
BUK6607-75C N-channel TrenchMOS FET
BUK6610-75C N-channel TrenchMOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BUK654R6-55C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 55V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK654R8-40C 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH40V88ASOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,88A,SOT78 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,40V,88A,SOT78; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):3.84mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.3V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BUK654R8-40C,127 功能描述:MOSFET N-CHAN 40V 100A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BUK655-450B 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
BUK655-500A 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement MOSFET
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