| 型號: | BSO615N |
| 廠商: | Infineon Technologies |
| 文件頁數(shù): | 1/5頁 |
| 文件大小: | 0K |
| 描述: | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| 產(chǎn)品變化通告: | Product Discontinuation 22/Feb/2008 |
| 標準包裝: | 1 |
| 系列: | SIPMOS® |
| FET 型: | 2 個 N 溝道(雙) |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2.6A |
| 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 150 毫歐 @ 2.6A,4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 20µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
| 供應商設備封裝: | PG-DSO-8 |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |
| 其它名稱: | BSO615NINCT |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSO612CV | MOSFET COMPL N+P 60V 2A 8-SOIC |
| B32653A1822J | FILM CAP 8.2NF 5% 1600V MKP |
| FXO-PC728-250 | OSC 250 MHZ 2.5V PECL SMD |
| 1M1-DP1-R6/1-1M1GE | SWITCH ROCKER DPDT 5A 125V |
| B32652A4684J | FILM CAP 680NF 5% 400V |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSO615N G | 功能描述:MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR 60V 2.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSO615NG | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 60V 2.6A Logic SOIC8 |
| BSO615NGHUMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 2.6A 8-Pin SO 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL SMALL SIGNAL MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |
| BSO615NGXT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 60V 2.6A 8PIN DSO - Cut TR (SOS) |
| BSO615NNTMA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC |