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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BPW85 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR NPN 3MM CLEAR |
| 中文描述： | Photodetector Transistors NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 106K |
| 代理商： | BPW85 |
BPW85A, BPW85B, BPW85C
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.9, 23-Aug-11
5
Document Number: 81531
For technical questions, contact: detectortechsupport@vishay.com
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PACKAGE DIMENSIONS in millimeters
96 12190
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BPW85B | Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk |
| BPW85C | Phototransistor Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 Bulk |
| BPW96B | Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk |
| BT134-600G | 4Q Triac |
| BT134-800 | 4Q Triac |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BPW85A | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW85A | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| BPW85B | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| BPW85B | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:PHOTOTRANSISTOR T1 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:OPTICAL SENSOR (PHOTODETECTOR - "NPN") P |
| BPW85C | 功能描述:光電晶體管 NPN Phototransistor 70V 100mW 850nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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