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參數(shù)資料
| 型號： | BD246A |
| 廠商： | Transys Electronics Ltd. |
| 英文描述： | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 進步黨硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 91K |
| 代理商： | BD246A |
5
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
BD246, BD246A, BD246B, BD246C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
SOT-93
3-pin plastic flange-mount package
This single-in-line package consists of a circuit mounted on a lead frame and encapsulated within a plastic
compound. The compound will withstand soldering temperature with no deformation, and circuit performance
characteristics will remain stable when operated in high humidity conditions. Leads require no additional
cleaning or processing when used in soldered assembly.
MECHANICAL DATA
SOT-93
ALL LINEAR DIMENSIONS IN MILLIMETERS
4,90
4,70
1,37
1,17
0,78
0,50
2,50 TYP.
15,2
14,7
12,2 MAX.
16,2 MAX.
18,0 TYP.
31,0 TYP.
1,30
1,10
11,1
10,8
4,1
4,0
3,95
4,15
1
2
3
NOTE A: The centre pin is in electrical contact with the mounting tab.
MDXXAW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD246B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD246C | RES, 15R 5% 1/4W, 1210 |
| BD246A | RESISTOR,CHIP 15.OK OHMS,1%,0.25W |
| BD246B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD246C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD246A-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD246B | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD246B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD246C | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD246C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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