參數(shù)資料
型號(hào)： BD246
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： BD246
3
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
BD246, BD246A, BD246B, BD246C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
h
F
1
10
100
1000
TCS634AG
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
-10
I
B
- Base Current - A
-0·01
-0·1
-1·0
-10
V
C
-0·01
-0·1
-1·0
TCS634AB
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
I
C
= -10 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
-0·1
-1·0
-10
V
B
-0·6
-0·8
-1·0
-1·2
-1·4
-1·6
TCS634AC
V
CE
= -4 V
T
C
= 25 °C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD246 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246A PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246B PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246C RES, 15R 5% 1/4W, 1210
BD246A RESISTOR,CHIP 15.OK OHMS,1%,0.25W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD246A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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