參數(shù)資料
型號(hào)： BD246
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 進(jìn)步黨硅功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： BD246
BD246, BD246A, BD246B, BD246C
PNP SILICON POWER TRANSISTORS
2
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
NOTES: 5. These parameters must be measured using pulse techniques, t
p
= 300 μs, duty cycle
≤
2%.
6. These parameters must be measured using voltage-sensing contacts, separate from the current carrying contacts.
Voltage and current values shown are nominal; exact values vary slightly with transistor parameters.
electrical characteristics at 25°C case temperature
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
V
(BR)CEO
Collector-emitter
breakdown voltage
I
C
= -30 mA
(see Note 5)
I
B
= 0
BD246
BD246A
BD246B
BD246C
BD246
BD246A
BD246B
BD246C
BD246/246A
BD246B/246C
-45
-60
-80
-100
V
I
CES
Collector-emitter
cut-off current
V
CE
= -55 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -115 V
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
mA
I
CEO
Collector cut-off
current
Emitter cut-off
current
mA
I
EBO
V
EB
= -5 V
I
C
= 0
-1
mA
h
FE
Forward current
transfer ratio
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
I
B
= -0.3 A
I
B
= -2.5 A
V
CE
= -4 V
V
CE
= -4 V
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -10 A
I
C
= -3 A
I
C
= -10 A
I
C
= -3 A
I
C
= -10 A
(see Notes 5 and 6)
40
20
4
V
CE(sat)
Collector-emitter
saturation voltage
Base-emitter
voltage
Small signal forward
current transfer ratio
Small signal forward
current transfer ratio
(see Notes 5 and 6)
-1
-4
-1.6
-3
V
V
BE
(see Notes 5 and 6)
V
h
fe
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
f = 1 kHz
20
|
h
fe
|
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
f = 1 MHz
3
thermal characteristics
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNIT
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction to case thermal resistance
Junction to free air thermal resistance
1.56
42
°C/W
°C/W
resistive-load-switching characteristics at 25°C case temperature
PARAMETER
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNIT
t
on
t
off
Turn-on time
Turn-off time
I
C
= -1 A
V
BE(off)
= 3.7 V
I
B(on)
= -0.1 A
R
L
= 20
I
B(off)
= 0.1 A
t
p
= 20 μs, dc
≤
2%
0.2
0.8
μs
μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD246 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246A PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246B PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246C RES, 15R 5% 1/4W, 1210
BD246A RESISTOR,CHIP 15.OK OHMS,1%,0.25W
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD246A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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