參數(shù)資料
型號(hào)： BD245C
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/6頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： BD245C
3
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
BD245, BD245A, BD245B, BD245C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·1
1·0
10
h
F
1·0
10
100
1000
TCS633AG
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
10
I
B
- Base Current - A
0·01
0·1
1·0
10
V
C
0·01
0·1
1·0
TCS633AB
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 6 A
I
C
= 10 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·1
1
10
V
B
0·6
0·8
1·0
1·2
1·4
1·6
1·8
TCS633AC
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
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PDF描述
BD246 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246A PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246B PNP SILICON POWER TRANSISTORS
BD246C RES, 15R 5% 1/4W, 1210
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參數(shù)描述
BD245C-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD245-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 10A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80W PNP Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD246A-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 60V 10A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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