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參數資料
| 型號： | BD243B |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數： | 2/3頁 |
| 文件大小： | 127K |
| 代理商： | BD243B |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD243C | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD244C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| BD243B/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
| BD243B_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Plastic Power Transistors |
| BD243BG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 80V 65W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD243B-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 6A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD243BTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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