參數(shù)資料
型號: BD239F
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù): 4/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商: BD239F
BD239D, BD239E, BD239F
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
4
SEPTEMBER 1981 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 4.
THERMAL INFORMATION
Figure 5.
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0
10
100
1000
I
C
0·01
0·1
1·0
10
100
SAS631AF
BD239D
BD239E
BD239F
t
p
= 300 μs, d = 0.1 = 10%
t
p
= 1 ms, d = 0.1 = 10%
t
p
= 10 ms, d = 0.1 = 10%
DC Operation
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - °C
0
25
50
75
100
125
150
P
t
0
10
20
30
40
TIS631AB
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PDF描述
BD239 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD239A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD239B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
BD239F-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 160V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD239-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD239TU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD23B 制造商:BEREX 制造商全稱:BEREX 功能描述:Triple Band 2-Way SMT Power Divider 1900~2500MHz PCS, WCDMA & TD-SCDMA, WiBro
BD23B_1 制造商:BEREX 制造商全稱:BEREX 功能描述:Dual Band 2-Way SMT Power Divider