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參數(shù)資料
| 型號： | BD239C |
| 廠商： | Power Innovations International, Inc. |
| 英文描述： | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | NPN硅功率晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | BD239C |
BD239, BD239A, BD239B, BD239C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
4
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
MAXIMUM SAFE OPERATING REGIONS
Figure 4.
THERMAL INFORMATION
Figure 5.
MAXIMUM FORWARD-BIAS
SAFE OPERATING AREA
V
CE
- Collector-Emitter Voltage - V
1·0
10
100
1000
I
C
0·01
0·1
1·0
10
100
SAS631AE
BD239
BD239A
BD239B
BD239C
t
p
= 300 μs, d = 0.1 = 10%
t
p
= 1 ms, d = 0.1 = 10%
t
p
= 10 ms, d = 0.1 = 10%
DC Operation
MAXIMUM POWER DISSIPATION
vs
CASE TEMPERATURE
T
C
- Case Temperature - °C
0
25
50
75
100
125
150
P
t
0
10
20
30
40
TIS631AB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD240 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD240 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD240A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD240B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD240C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD239C | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-220 |
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| BD239C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 2A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD239CTU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD239D | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 30W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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