參數(shù)資料
型號： BD239A
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： BD239A
3
JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997
BD239, BD239A, BD239B, BD239C
NPN SILICON POWER TRANSISTORS
P R O D U C T I N F O R M A T I O N
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 1.
Figure 2.
Figure 3.
TYPICAL DC CURRENT GAIN
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·01
0·1
1·0
h
F
10
100
1000
TCS631AG
V
CE
= 4 V
t
p
= 300 μs, duty cycle < 2%
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE
vs
BASE CURRENT
10
I
B
- Base Current - mA
0·1
1·0
10
100
1000
V
C
0·01
0·1
1·0
TCS631AE
I
C
= 100 mA
I
C
= 300 mA
I
C
= 1 A
BASE-EMITTER VOLTAGE
vs
COLLECTOR CURRENT
I
C
- Collector Current - A
0·01
0·1
1·0
V
B
0·5
0·6
0·7
0·8
0·9
1·0
TCS631AF
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
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