參數(shù)資料
型號(hào)： BC858BDW1T1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
中文描述： 雙通用晶體管（民進(jìn)黨對(duì)偶）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 164K
代理商： BC858BDW1T1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
BC856b–3/5
TYPICAL PNP CHARACTERISTICS — BC856
BC856BDW1T1, BC857BDW1T1, BC857CDW1T1
BC858BDW1T1, BC858CDW1T1
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10
-20
-50 -100 -200
2.0
1.0
0.5
0.2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
Figure 1. DC Current Gain
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 2. “On” Voltage
V
C
,
h
F
,
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
V
-0.02
-0.05
-0.1
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-2.0
-1.6
-1.2
-0.8
-0.4
0
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 3. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. Base–Emitter Temperature Coefficient
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
-200
-1.0
-1.4
-1.8
-2.2
-2.6
-3.0
θ
V
,
°
C
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 5. Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Current–Gain – Bandwidth Product
-1.0
-10
-100
500
200
100
50
20
-0.1
-0.2
-0.5
-1.0
-2.0
-5.0
-10
-20
-50
-100
40
20
10
0.8
6.0
4.0
2.0
T
,
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856BDW1T1 Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
BC857CDW1T1 Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
BC858CDW1T1 Dual General Purpose Transistors(PNP Duals)
BC857BDW1T1 ECONOLINE: RJ & RG - Dual Output from a Single Input Rail - 3kVDC & 4kVDC Isolation - Optional Continuous Short Circuit Protected - Custom Solutions Available - UL94V-0 Package Material - Efficiency to 84%
BC858U High Speed CMOS Logic Phase-Locked-Loop with VCO 16-SOIC -55 to 125
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