參數(shù)資料
型號： BC68PA
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 20 V, 2A NPN medium power transistors
中文描述： 20伏，2安NPN型中等功率晶體管
封裝： BC68-25PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always Pb-free,;BC68PA<SOT1061 (HUSON3)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT1061.html<1<Always
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代理商： BC68PA
BCP68_BC868_BC68PA
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 8 — 18 October 2011
13 of 23
NXP Semiconductors
BCP68; BC868; BC68PA
20 V, 2 A NPN medium power transistors
7. Characteristics
Table 8.
T
amb
= 25
C unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
I
CBO
collector-base cut-off
current
[1]
Pulse test: t
p
300
s;
= 0.02.
Characteristics
Conditions
V
CB
= 25 V; I
E
= 0 A
V
CB
= 25 V; I
E
= 0 A;
T
j
= 150
C
V
EB
= 5 V; I
C
= 0 A
Min
-
-
Typ
-
-
Max
100
10
Unit
nA
A
I
EBO
emitter-base cut-off
current
DC current gain
-
-
100
nA
h
FE
V
CE
= 10 V
I
C
= 5 mA
V
CE
= 1 V
I
C
= 500 mA
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
V
CE
= 1 V
I
C
= 500 mA
I
C
= 1 A; I
B
= 100 mA
I
C
= 2 A; I
B
= 200 mA
V
CE
= 10 V; I
C
= 5 mA
V
CE
= 1 V; I
C
= 1 A
V
CB
= 10 V; I
E
= i
e
= 0 A;
f = 1 MHz
V
CE
= 5 V; I
C
= 50 mA;
f = 100 MHz
50
-
-
DC current gain
[1]
85
-
-
-
375
-
-
[1]
60
[1]
40
DC current gain
h
FE
selection -25
collector-emitter
saturation voltage
[1]
160
-
-
-
-
-
22
375
0.5
0.6
0.7
1
-
V
CEsat
[1]
-
V
V
V
V
pF
[1]
-
V
BE
base-emitter voltage
[1]
-
[1]
-
C
c
collector capacitance
-
f
T
transition frequency
40
170
-
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC868 20 V, 2A NPN medium power transistors
BC69-16PA 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC69-25PA 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC69PA 20 V, 2 A PNP medium power transistors
BC869 20 V, 2 A PNP medium power transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC68PA,115 功能描述:MOSFET 20 V, 2 A NPN medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BC68PASX 功能描述:IC TRANS NPN 2A 20V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:420mW 頻率 - 躍遷:170MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-3 標準包裝:1
BC69-16PA 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 20V, 2A, SOT1061 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 20V, 2A, SOT1061; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-20V; Transition Frequency Typ ft:140MHz; Power Dissipation Pd:1.65W; DC Collector Current:-2A; DC Current Gain hFE:100; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes
BC69-16PA,115 功能描述:MOSFET 20 V, 2 A PNP medium power transistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
BC69-16PASX 功能描述:IC TRANS PNP 2A 20V SOT1061 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:420mW 頻率 - 躍遷:140MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無引線 供應(yīng)商器件封裝:DFN2020D-3 標準包裝:1
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