參數(shù)資料
型號： BAS16T-7-F
廠商： DIODES INC
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
中文描述： 0.155 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： GREEN, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： BAS16T-7-F
DS30260 Rev. 7 - 2
2 of 3
BAS16T, BAW56T, BAV70T, BAV99T
www.diodes.com
0
50
100
150
200
300
200
250
100
150
50
0
I
F
Single diode loaded
Double diode loaded
Notes:
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.
Ordering Information
(Note 4)
Device
BAS16T-7-F
BAW56T-7-F
BAV70T-7-F
BAV99T-7-F
Packaging
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
Shipping
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
3000/Tape & Reel
0.1
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
I
R
T = -40oC
T = 25oC
T = 75oC
T = 125oC
T = 150oC
T = 0oC
0.1
1
0.01
0.001
0
1.5
1.0
0.5
I
F
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
Fig. 2 Forward Characteristics
T = -40oC
T = 150oC
T = 75oC
T = 25oC
T = 0oC
Notes:
3. Short duration test pulse to minimize self-heating effect.
Characteristic
Symbol
V
(BR)R
Min
85
Typ
Max
Unit
V
Test Condition
I
R
= 100 A
I
F
= 1.0mA
I
F
= 10mA
I
F
= 50mA
I
F
= 150mA
V
R
= 75V
V
R
= 75V, T
j
= 150 C
V
R
= 25V, T
j
= 150 C
V
R
= 25V
V
R
= 0, f = 1.0MHz
I
F
= I
R
= 10mA,
I
rr
= 0.1 x I
R
, R
L
= 100
Reverse Breakdown Voltage (Note 3)
Forward Voltage
V
F
0.715
0.855
1.0
1.25
2.0
100
60
30
V
Leakage Current (Note 3)
I
R
A
A
A
nA
pF
Total Capacitance
C
T
1.5
Reverse Recovery Time
t
rr
4.0
ns
Electrical Characteristics
@ T
A
= 25 C unless otherwise specified
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
2.0
0
10
20
40
30
C
T
V , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Capacitance vs. Reverse Voltage
f = 1.0MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BAS16TG SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
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