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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BAS16D-V-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | Diode Small Signal Switching 100V 0.25A 2-Pin SOD-123 T/R |
| 中文描述： | Diodes (General Purpose, Power, Switching) 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | BAS16D-V-GS08 |
BAS16D
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Rev. 1.4, 13-May-13
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2
Document Number: 85723
TYPICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
Fig. 1 -
Forward Characteristics
Fig. 2 -
Dynamic Forward Resistance vs. Forward Current
Fig. 3 -
Admissible Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
Fig. 4 -
Relative Capacitance vs. Reverse Voltage
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25 °C, unless otherwise specified)
PARAMETER
TEST CONDITION
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
V
R
= 25 V, T
j
= 150 °C
V
R
= 75 V
V
R
= 75 V, T
j
= 150 °C
Diode capacitance
V
R
= 0; f = 1 MHz
I
F
= 10 mA, I
R
= 10 mA,
i
R
= 1 mA, R
L
= 100
SYMBOL
V
F
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
C
D
MIN.
TYP.
MAX.
0.715
0.855
1
1.25
30
1
50
2
UNIT
V
V
V
V
μA
μA
μA
pF
Forward voltage
Leakage current
Reverse recovery time
t
rr
6
ns
18105
I
F
V
F
(
V
)
T
j
= 100 °C
T
j
= 25 °C
10
- 2
10
- 1
10
2
10
3
1
10
1
2
0
17438
f = 1 kHz
T
j
= 25 °C
I
F
(mA)
R
f
Ω
)
10
10
2
10
3
10
4
10
-2
10
-1
1
10
2
10
2
5
2
5
2
5
2
5
18186
mW
400
300
200
0
0
100
200 °C
T
amb
P
tot
100
17440
V
R
(V)
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
f = 1 MHz
T
j
= 25 °C
2
0
8
6
4
10
C
D
R
)
C
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS16LD | Single high-speed switching diode |
| BAS16LP | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16LP-7 | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODE |
| BAS16T-7-F | SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS16TG | SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BAS16D-V-GS18 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Fast Switching Diode |
| BAS16DXV6T1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| BAS16DXV6T1/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Dual Switching Diode |
| BAS16DXV6T1_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Dual Switching Diode |
| BAS16DXV6T1G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
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