BLF6G10LS-200R

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功能描述
射頻MOSFET電源晶體管 LDMOS TNS
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
晶體管極性
頻率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
輸出功率
100 W
汲極/源極擊穿電壓
漏極連續(xù)電流
閘/源擊穿電壓
最大工作溫度
封裝 / 箱體
NI-780-4
封裝
Tray

BLF6G10LS-200R 技術參數

BLF6G10LS-200,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz 增益:20.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G10LS-200,112 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz 20.2dB 40W SOT502B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:871.5MHz 增益:20.2dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:49A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:40W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:60 BLF6G10LS-160RN:11 功能描述:RF Mosfet LDMOS 32V 1.2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 22.5dB 32W SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:39A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.2A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G10LS-160RN,11 功能描述:FET RF 65V 957.5MHZ SOT-502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:托盤零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:922.5MHz ~ 957.5MHz 增益:22.5dB 電壓 - 測試:32V 額定電流:39A 噪聲系數:- 電流 - 測試:1.2A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:20 BLF6G10LS-160,118 功能描述:RF Mosfet LDMOS SOT502B 制造商:ampleon usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期晶體管類型:LDMOS 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:- 封裝/外殼:SOT-502B 供應商器件封裝:SOT502B 標準包裝:100 BLF6G13LS-250PGJ BLF6G15L-250PBRN,1 BLF6G15L-250PBRN:1 BLF6G15L-40BRN,112 BLF6G15L-40BRN,118 BLF6G15L-40RN,112 BLF6G15L-40RN,118 BLF6G15L-500H,112 BLF6G15LS-250PBRN, BLF6G15LS-250PBRN: BLF6G15LS-40RN,112 BLF6G15LS-40RN,118 BLF6G15LS-500H,112 BLF6G20-110,112 BLF6G20-180PN,112 BLF6G20-180RN,112 BLF6G20-230P BLF6G20-230PRN,112