BDX53BFP

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功能描述
達林頓晶體管 Silicon Pwr Trnsistr
RoHS
否
制造商
Texas Instruments
配置
Octal
晶體管極性
NPN
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
50 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
集電極—基極電壓 VCBO
最大直流電集電極電流
0.5 A
最大集電極截止電流
功率耗散
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
SOIC-18
封裝
Reel

BDX53BFP 技術(shù)參數(shù)

BDX53B 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BDX53ATU 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 BDX53A-S 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 8A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 12mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:15,000 BDX34D-S 功能描述:TRANS PNP DARL 120V 10A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:120V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:19,000 BDX34C-S 功能描述:TRANS PNP DARL 100V 10A 制造商:bourns inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 6mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:750 @ 3A，3V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:19,000 BDX54ATU BDX54B BDX54BG BDX54B-S BDX54BTU BDX54C BDX54CG BDX54C-S BDX54CTU BDX54-S BDX54TU BDZD28 BDZD48 BDZW1 BDZW12 BDZW13 BDZW2 BDZW3