BZT55C36 L0G

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功能描述
DIODE ZENER 36V 500MW MINI MELF
制造商
taiwan semiconductor corporation
系列
-
包裝
帶卷（TR）
零件狀態(tài)
在售
電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
36V
容差
±5%
功率 - 最大值
500mW
阻抗（最大值）（Zzt）
80 Ohms
不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
100nA @ 27V
不同 If 時的電壓 - 正向（Vf
1V @ 10mA
工作溫度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應(yīng)商器件封裝
迷你型 MELF
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10,000

BZT55C36 L0G 技術(shù)參數(shù)

BZT55C33-GS18 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應(yīng)商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZT55C33-GS08 功能描述:Zener Diode 33V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應(yīng)商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BZT55C33 L1G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 BZT55C33 L0G 功能描述:DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):在售電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 24V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 供應(yīng)商器件封裝:迷你型 MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZT55C30-GS18 功能描述:Zener Diode 30V 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):有效電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:80 歐姆不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 22V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-80 變式供應(yīng)商器件封裝:SOD-80 QuadroMELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 BZT55C3V0-GS08 BZT55C3V0-GS18 BZT55C3V3 L0G BZT55C3V3 L1G BZT55C3V3-GS08 BZT55C3V3-GS18 BZT55C3V6 L0G BZT55C3V6 L1G BZT55C3V6-GS08 BZT55C3V6-GS18 BZT55C3V9 L0G BZT55C3V9 L1G BZT55C3V9-GS08 BZT55C3V9-GS18 BZT55C43 L0G BZT55C43 L1G BZT55C43-GS08 BZT55C43-GS18